ເວເຟີຊິລິຄອນ

ເວເຟີຊິລິຄອນ

ຈາກ sitronic

Aເວເຟີເປັນຊິລິໂຄນທີ່ໜາປະມານ 1 ມິນລີແມັດ ເຊິ່ງມີໜ້າຜິວຮາບພຽງຫຼາຍ ຍ້ອນຂັ້ນຕອນທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການທາງດ້ານເຕັກນິກສູງ. ການນຳໃຊ້ຕໍ່ມາຈະກຳນົດວ່າຂັ້ນຕອນການປູກຜລຶກໃດທີ່ຄວນນຳໃຊ້. ຕົວຢ່າງ, ໃນຂະບວນການ Czochralski, ຊິລິໂຄນໂພລີຄຣິສຕາລິນຈະຖືກລະລາຍ ແລະ ຜລຶກເມັດບາງໆຄືກັບດິນສໍຈະຖືກຈຸ່ມລົງໃນຊິລິໂຄນທີ່ລະລາຍ. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ຜລຶກເມັດຈະຖືກໝຸນ ແລະ ດຶງຂຶ້ນຊ້າໆ. ຜລຶກຂະໜາດໃຫຍ່ທີ່ມີນ້ຳໜັກຫຼາຍ, ເຊິ່ງເອີ້ນວ່າ ໂມໂນຄຣິສຕາລິນ, ຜົນໄດ້ຮັບ. ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະເລືອກລັກສະນະທາງໄຟຟ້າຂອງໂມໂນຄຣິສຕາລິນໂດຍການເພີ່ມຫົວໜ່ວຍນ້ອຍໆຂອງສານໂດບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ຜລຶກຖືກໂດບຕາມຂໍ້ກຳນົດຂອງລູກຄ້າ ແລະ ຫຼັງຈາກນັ້ນຂັດ ແລະ ຕັດເປັນຕ່ອນໆ. ຫຼັງຈາກຂັ້ນຕອນການຜະລິດເພີ່ມເຕີມຕ່າງໆ, ລູກຄ້າຈະໄດ້ຮັບເວເຟີທີ່ລະບຸໄວ້ໃນການຫຸ້ມຫໍ່ພິເສດ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າສາມາດໃຊ້ເວເຟີທັນທີໃນສາຍການຜະລິດຂອງມັນ.

ໃນປະຈຸບັນ, ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຜລຶກຊິລິກອນ monocrystalline ແມ່ນປູກຕາມຂະບວນການ Czochralski, ເຊິ່ງກ່ຽວຂ້ອງກັບການລະລາຍຊິລິກອນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ polycrystalline ໃນເຕົາອົບ quartz ທີ່ບໍລິສຸດສູງ ແລະ ການເພີ່ມສານເສີມ (ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນ B, P, As, Sb). ເມັດຜລຶກ monocrystalline ບາງໆຖືກຈຸ່ມລົງໃນຊິລິກອນທີ່ລະລາຍ. ຫຼັງຈາກນັ້ນຜລຶກ CZ ຂະໜາດໃຫຍ່ຈະພັດທະນາມາຈາກຜລຶກບາງໆນີ້. ການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມ ແລະ ການໄຫຼຂອງຊິລິກອນທີ່ລະລາຍຢ່າງແມ່ນຍຳ, ການໝູນຂອງຜລຶກ ແລະ ເຕົາອົບ, ພ້ອມທັງຄວາມໄວໃນການດຶງຜລຶກ ເຮັດໃຫ້ໄດ້ແທ່ງຊິລິກອນ monocrystalline ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງສຸດ.