Wafer di siliciu monocristallinu di 8 pollici

Descrizzione corta:

A fetta di siliciu monocristallina di 8 pollici di VET Energy hè un materiale di basa semiconduttore di alta purezza è alta qualità. VET Energy utilizza un prucessu di crescita CZ avanzatu per assicurà chì a fetta abbia una qualità cristallina eccellente, una bassa densità di difetti è una alta uniformità, furnendu un substratu solidu è affidabile per i vostri dispositivi semiconduttori.


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U wafer di siliciu monocristallinu di 8 pollici di VET Energy hè una suluzione leader di l'industria per a fabricazione di semiconduttori è dispositivi elettronichi. Offrendu una purezza superiore è una struttura cristallina, sti wafer sò ideali per applicazioni ad alte prestazioni sia in l'industria fotovoltaica sia in quella di semiconduttori. VET Energy assicura chì ogni wafer sia meticulosamente trattatu per risponde à i più alti standard, furnendu una eccellente uniformità è una finitura superficiale liscia, chì sò essenziali per a produzzione di dispositivi elettronichi avanzati.

Questi wafer di siliciu monocristallinu di 8 pollici sò cumpatibili cù una varietà di materiali, cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, è sò particularmente adatti per a crescita di Epi Wafer. A so cunduttività termica superiore è e so proprietà elettriche li rendenu una scelta affidabile per a fabricazione ad alta efficienza. Inoltre, questi wafer sò cuncepiti per funziunà perfettamente cù materiali cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3 è AlN Wafer, offrendu una vasta gamma di applicazioni da l'elettronica di putenza à i dispositivi RF. I wafer si adattanu ancu perfettamente à i sistemi à cassette per ambienti di pruduzzione automatizati à grande vulume.

A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafer di siliciu. Offremu ancu una larga gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi u substratu SiC, u wafer SOI, u substratu SiN, u wafer Epi, ecc., è ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3 è u wafer AlN. Quessi prudutti ponu risponde à i bisogni applicativi di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.

VET Energy furnisce à i clienti suluzioni di wafer persunalizate. Pudemu persunalizà i wafer cù diverse resistività, cuntenutu d'ossigenu, spessore, ecc. secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di pruduzzione.

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SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Bordu di a cialda

Bisellatura

FINITURA DI A SUPERFICIE

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips di bordu

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm)

Rientri

Nisunu permessu

Graffii (Si-Face)

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Crepe

Nisunu permessu

Esclusione di u bordu

3mm

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