U wafer di siliciu monocristallinu di 8 pollici di VET Energy hè una suluzione leader di l'industria per a fabricazione di semiconduttori è dispositivi elettronichi. Offrendu una purezza superiore è una struttura cristallina, sti wafer sò ideali per applicazioni ad alte prestazioni sia in l'industria fotovoltaica sia in quella di semiconduttori. VET Energy assicura chì ogni wafer sia meticulosamente trattatu per risponde à i più alti standard, furnendu una eccellente uniformità è una finitura superficiale liscia, chì sò essenziali per a produzzione di dispositivi elettronichi avanzati.
Questi wafer di siliciu monocristallinu di 8 pollici sò cumpatibili cù una varietà di materiali, cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, è sò particularmente adatti per a crescita di Epi Wafer. A so cunduttività termica superiore è e so proprietà elettriche li rendenu una scelta affidabile per a fabricazione ad alta efficienza. Inoltre, questi wafer sò cuncepiti per funziunà perfettamente cù materiali cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3 è AlN Wafer, offrendu una vasta gamma di applicazioni da l'elettronica di putenza à i dispositivi RF. I wafer si adattanu ancu perfettamente à i sistemi à cassette per ambienti di pruduzzione automatizati à grande vulume.
A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafer di siliciu. Offremu ancu una larga gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi u substratu SiC, u wafer SOI, u substratu SiN, u wafer Epi, ecc., è ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3 è u wafer AlN. Quessi prudutti ponu risponde à i bisogni applicativi di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.
VET Energy furnisce à i clienti suluzioni di wafer persunalizate. Pudemu persunalizà i wafer cù diverse resistività, cuntenutu d'ossigenu, spessore, ecc. secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di pruduzzione.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Bordu di a cialda | Bisellatura | ||||
FINITURA DI A SUPERFICIE
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| Finitura di a superficia | Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Chips di bordu | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm) | ||||
| Rientri | Nisunu permessu | ||||
| Graffii (Si-Face) | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | ||
| Crepe | Nisunu permessu | ||||
| Esclusione di u bordu | 3mm | ||||
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