Rivestimentu CVD

Rivestimenti CVD per a trasfurmazione avanzata di semiconduttori

Cuncepiti per ambienti critichi di fabricazione di semiconduttori, i nostri rivestimenti di Carburo di Siliciu (SiC), Carburo di Tantalu (TaC) è Carboniu Piroliticu (PyC) per Deposizione Chimica da Vapore (CVD) offrenu una inerzia chimica eccezziunale, una stabilità termica estrema è una purezza ultra-alta (< 5 ppm). Cuncepiti per prutege i substrati di grafite è ceramica d'alta purezza da plasma aggressivu, gas di prucessu reattivi è cicli termichi elevati, i nostri rivestimenti avanzati minimizanu a generazione di particelle è allunganu significativamente a durata di vita di i cumpunenti.Epitaxia di Siliciu/SiC, MOCVD, Incisione à Plasma è Crescita Monocristallinaapplicazioni.

Ultra-Alta Purezza (< 5 ppm)

Impurità metalliche basse verificate da GDMS per prevene a contaminazione di e wafer in prucessi critichi.

Resistenza superiore à u plasma è à u gasu

A struttura cristallina densa prutege contr'à u plasma alogenu (CF₄, NF₃, Cl₂) è i gasi currusivi.

Corrispondenza Termica Ottimizzata

Un cuntrollu strettu di CTE elimina e microfessure è a delaminazione di u rivestimentu sottu à shock termichi severi.

Tipu di rivestimentu	Vantaghju Tecnicu Chjave	Applicazione di u prucessu primariu
Rivestimentu CVD SiC	Alta conducibilità termica, eccellente resistenza à l'erosione di u plasma	Incisione a seccu, Epitassia di Si, MOCVD, Crescita di Cristalli
Rivestimentu CVD TaC	Resistenza à temperature estreme (>2000°C), barriera di corrosione H₂/SiH₄	Epitassia di SiC, Crescita PVT di SiC à Cristallu Unicu
Rivestimentu PyC	Sigillatura ermetica di gas, superficia di carbone anisotropica ultra liscia	Isolamentu di u campu termicu, siliciu monocristallinu CZ