CVD-belægninger til avanceret halvlederbehandling

Vores belægninger af siliciumcarbid (SiC), tantalcarbid (TaC) og pyrolytisk kulstof (PyC) er udviklet til kritiske halvlederproduktionsmiljøer og leverer enestående kemisk inertitet, ekstrem termisk stabilitet og ultrahøj renhed (< 5 ppm). Vores avancerede belægninger er designet til at beskytte grafit- og keramiske substrater med høj renhed mod aggressiv plasma, reaktive procesgasser og høj termisk cykling, minimerer partikelgenerering og forlænger komponenternes levetid betydeligt.Silicium/SiC-epitaksi, MOCVD, plasmaætsning og monokrystalvækstapplikationer.