Parte di mezza luna di grafite rivestita di SiC per fornu epitassiale di carburo di siliciu

Parte di mezza luna in grafite rivestita di SiChè un cumpunente chjave utilizatu in i prucessi di fabricazione di semiconduttori, in particulare per l'equipaggiamenti epitassiali di SiC. Adupremu a nostra tecnulugia brevettata per fà a parte à mezza luna cù una purezza estremamente alta, una bona uniformità di rivestimentu è una eccellente durata di serviziu, è ancu proprietà di alta resistenza chimica è stabilità termica.

Materiale di basa: grafite d'alta purezza
Requisiti di purezza:cuntenutu di carbone ≥99,99%, cuntenutu di cenere ≤5ppm, per assicurà chì nisuna impurità ùn sia precipitata per contaminà u stratu epitaxiale à alte temperature.
Vantaghji di prestazione:
Alta conducibilità termica:A cunduttività termica à temperatura ambiente righjunghji 150W/(m・K), chì hè vicinu à u livellu di u rame è pò trasferisce rapidamente u calore.
Coefficiente di espansione bassu:5×10^-6/℃ (25-1000℃), currispondendu à u sustratu di carburu di siliciu (4,2 × 10^-6/℃), riducendu a screpolatura di u rivestimentu causata da u stress termicu.
Precisione di trasfurmazione:Una tolleranza dimensionale di ± 0,05 mm hè ottenuta per mezu di a machinazione CNC per assicurà a sigillatura di a camera.

Applicazioni differenziate di CVD SiC è CVD TaC

Ispezione di qualità

Spessore di u rivestimentu: misuratore di spessore laser (precisione ± 1 um) o analisi trasversale SEM.
Forza di adesione: prova di graffiu (caricu criticu > 50N) o prova à ultrasoni (velocità di u sonu > 5000m/s).
Resistenza à a corrosione: tassu di perdita di massa (<0,1 mg/cm²・h) testatu in atmosfera di HCl (5 vol%, 1600℃).