Lapisan CVD

Lapisan CVD pikeun Pamrosésan Semikonduktor Canggih

Dirancang pikeun lingkungan manufaktur semikonduktor anu kritis, lapisan Deposisi Uap Kimia (CVD) Silikon Karbida (SiC), Tantalum Karbida (TaC), sareng Karbon Pirolitik (PyC) kami ngahasilkeun inertitas kimia anu luar biasa, stabilitas termal anu ekstrim, sareng kamurnian ultra-luhur (< 5 ppm). Dirancang pikeun ngajaga substrat grafit sareng keramik anu kamurnian luhur tina plasma agrésif, gas prosés réaktif, sareng siklus termal anu luhur, lapisan canggih kami ngaminimalkeun generasi partikel sareng sacara signifikan manjangkeun umur komponén dina.Epitaksi Silikon/SiC, MOCVD, Étsa Plasma, sareng Pertumbuhan Monokristalaplikasi.

Kamurnian Ultra-Luhur (< 5 ppm)

Pangotor logam rendah anu diverifikasi GDMS pikeun nyegah kontaminasi wafer dina prosés kritis.

Résistansi Plasma & Gas anu Unggul

Struktur kristalin anu padet ngajaga tina plasma halogen (CF₄, NF₃, Cl₂) sareng gas korosif.

Cocog Termal anu Dioptimalkeun

Kontrol CTE anu ketat ngaleungitkeun mikro-retakan sareng delaminasi palapis dina kejutan termal anu parah.

Jenis Palapis	Kaunggulan Téknis Kunci	Aplikasi Prosés Utama
Lapisan SiC CVD	Konduktivitas termal anu luhur, résistansi erosi plasma anu saé pisan	Etsa Garing, Epitaksi Si, MOCVD, Tumuwuhna Kristal
Lapisan CVD TaC	Tahan suhu ekstrim (>2000°C), panghalang korosi H₂/SiH₄	Epitaksi SiC, Pertumbuhan PVT SiC Kristal Tunggal
Lapisan PyC	Segel gas hermetik, permukaan karbon anisotropik anu ultra-halus	Insulasi medan termal, Silikon Monokristalin CZ