Revestimento CVD

Revestimentos CVD para o procesamento avanzado de semicondutores

Deseñados para entornos críticos de fabricación de semicondutores, os nosos revestimentos de carburo de silicio (SiC), carburo de tántalo (TaC) e carbono pirolítico (PyC) por deposición química de vapor (CVD) ofrecen unha inercia química excepcional, unha estabilidade térmica extrema e unha pureza ultraalta (< 5 ppm). Deseñados para protexer os substratos de grafito e cerámica de alta pureza do plasma agresivo, os gases de proceso reactivos e os ciclos térmicos elevados, os nosos revestimentos avanzados minimizan a xeración de partículas e prolongan significativamente a vida útil dos compoñentes.Epitaxia de silicio/SiC, MOCVD, gravado por plasma e crecemento de monocristaisaplicacións.

Pureza ultraalta (< 5 ppm)

Baixas impurezas metálicas verificadas por GDMS para evitar a contaminación das obleas en procesos críticos.

Resistencia superior ao plasma e aos gases

A estrutura cristalina densa protexe contra o plasma halóxeno (CF₄, NF₃, Cl₂) e os gases corrosivos.

Adaptación térmica optimizada

O control estrito do CTE elimina as microgretas e a delaminación do revestimento baixo choques térmicos severos.

Tipo de revestimento	Vantaxe técnica clave	Aplicación do proceso primario
Revestimento CVD de SiC	Alta condutividade térmica, excelente resistencia á erosión do plasma	Gravado en seco, epitaxia de silicio, MOCVD, crecemento cristalino
Revestimento CVD TaC	Resistencia a temperaturas extremas (>2000 °C), barreira de corrosión H₂/SiH₄	Epitaxia de SiC, crecemento de PVT de SiC monocristalino
Revestimento PyC	Sellado hermético de gas, superficie de carbono anisotrópica ultrasuave	Illamento de campo térmico, silicio monocristalino CZ