Revêtement CVD

Revêtements CVD pour le traitement avancé des semi-conducteurs

Conçus pour les environnements critiques de fabrication de semi-conducteurs, nos revêtements en carbure de silicium (SiC), en carbure de tantale (TaC) et en carbone pyrolytique (PyC) déposés par voie chimique en phase vapeur (CVD) offrent une inertie chimique exceptionnelle, une stabilité thermique extrême et une pureté ultra-élevée (< 5 ppm). Destinés à protéger les substrats en graphite et en céramique de haute pureté contre les plasmas agressifs, les gaz de procédé réactifs et les cycles thermiques intenses, nos revêtements avancés minimisent la génération de particules et prolongent considérablement la durée de vie des composants.Épitaxie du silicium/SiC, MOCVD, gravure plasma et croissance monocristallineapplications.

Pureté ultra-élevée (< 5 ppm)

Faibles teneurs en impuretés métalliques vérifiées par GDMS pour prévenir la contamination des plaquettes dans les processus critiques.

Résistance supérieure aux plasmas et aux gaz

La structure cristalline dense protège contre le plasma halogène (CF₄, NF₃, Cl₂) et les gaz corrosifs.

Adaptation thermique optimisée

Un contrôle strict du coefficient de dilatation thermique élimine les microfissures et le délaminage du revêtement sous l'effet de chocs thermiques sévères.

Type de revêtement	Atout technique clé	Application de procédé primaire
Revêtement SiC CVD	Conductivité thermique élevée, excellente résistance à l'érosion par plasma	Gravure sèche, épitaxie du silicium, MOCVD, croissance cristalline
Revêtement TaC CVD	Résistance aux températures extrêmes (>2000 °C), barrière anticorrosion H₂/SiH₄	Épitaxie du SiC, croissance PVT monocristalline du SiC
Revêtement PyC	Étanchéité hermétique aux gaz, surface en carbone anisotrope ultra-lisse	Isolation thermique par champ, silicium monocristallin CZ