CVD qoplamasi

Ilg'or yarimo'tkazgichlarni qayta ishlash uchun CVD qoplamalari

Muhim yarimo'tkazgich ishlab chiqarish muhitlari uchun ishlab chiqilgan bizning Kimyoviy bug' cho'ktirish (CVD) kremniy karbidi (SiC), tantal karbidi (TaC) va pirolitik uglerod (PyC) qoplamalarimiz ajoyib kimyoviy inertlik, ekstremal issiqlik barqarorligi va ultra yuqori tozalikni (<5 ppm) ta'minlaydi. Yuqori tozalikdagi grafit va keramik substratlarni agressiv plazma, reaktiv jarayon gazlari va yuqori issiqlik aylanishidan himoya qilish uchun mo'ljallangan bizning ilg'or qoplamalarimiz zarrachalar hosil bo'lishini minimallashtiradi va komponentlarning ishlash muddatini sezilarli darajada uzaytiradi.Silikon/SiC Epitaksiyasi, MOCVD, Plazma O'ymakorligi va Monokristal O'sishiilovalar.

Ultra yuqori poklik (<5 ppm)

Muhim jarayonlarda gofret ifloslanishining oldini olish uchun GDMS tomonidan tasdiqlangan past metall aralashmalar.

Yuqori plazma va gazga chidamlilik

Zich kristalli tuzilish halogen plazma (CF₄, NF₃, Cl₂) va korroziv gazlardan himoya qiladi.

Optimallashtirilgan issiqlik moslashuvi

Qattiq CTE nazorati kuchli termal zarbalar ostida mikro yoriqlar va qoplama delaminatsiyasini yo'q qiladi.

Qoplama turi	Asosiy texnik afzallik	Birlamchi jarayonni qo'llash
CVD SiC qoplamasi	Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, plazma eroziyasiga mukammal qarshilik	Quruq o'ymakorlik, Si epitaksiyasi, MOCVD, kristall o'sishi
CVD TaC qoplamasi	Haddan tashqari haroratga chidamlilik (>2000°C), H₂/SiH₄ korroziyaga chidamliligi	SiC Epitaksiyasi, bitta kristalli SiC PVT o'sishi
PyC qoplamasi	Germetik gaz muhrlanishi, ultra silliq anizotrop uglerod yuzasi	Issiqlik maydoni izolyatsiyasi, CZ monokristalli kremniy