CVD каплавы

Алга киткән ярымүткәргеч эшкәртү өчен CVD капламалары

Ярымүткәргеч җитештерүнең мөһим мохите өчен эшләнгән, безнең химик пар утырту (CVD) кремний карбиды (SiC), тантал карбиды (TaC) һәм пиролитик углерод (PyC) каплауларыбыз гаҗәеп химик инерция, экстремаль термик тотрыклылык һәм ультра югары чисталык (< 5 ppm) бирә. Югары чисталыклы графит һәм керамик субстратларны агрессив плазмадан, реактив процесс газларыннан һәм югары термик циклдан саклау өчен эшләнгән, безнең алдынгы каплауларыбыз кисәкчәләр барлыкка килүен минимальләштерә һәм компонентларның гомерен сизелерлек озайта.Кремний/SiC эпитаксиясе, MOCVD, плазма белән эшкәртү һәм монокристалл үсешекушымталар.

Бик югары чисталык (< 5 ppm)

Мөһим процессларда пластина пычрануын булдырмас өчен GDMS тарафыннан расланган түбән металл катнашмалары.

Плазма һәм газга каршы торучанлыкның югары дәрәҗәсе

Тыгыз кристалл структурасы галоген плазмасыннан (CF₄, NF₃, Cl₂) һәм коррозияле газлардан саклый.

Оптимальләштерелгән җылылык туры килүе

КТЭны катгый контрольдә тоту көчле термик шоклар вакытында микроярылуларны һәм каплау катламнарының аерылуын бетерә.

Каплау төре	Төп техник өстенлек	Беренчел процесс кушымтасы
CVD SiC каплавы	Югары җылылык үткәрүчәнлеге, плазма эрозиясенә каршы торучанлыгы югары	Коры эшкәртү, Si эпитаксиясе, MOCVD, кристалл үсеше
CVD TaC каплавы	Югары температурага чыдамлык (>2000°C), H₂/SiH₄ коррозиягә каршы тору	SiC эпитаксиясе, бер кристалллы SiC PVT үсеше
PyC каплавы	Герметик газ герметикасы, ультра шома анизотроп углерод өслеге	Җылылык кыры изоляциясе, CZ монокристалл кремний