CVD-Beschichtung

CVD-Beschichtunge fir fortgeschratt Hallefleiterveraarbechtung

Eis Beschichtunge fir chemesch Vapor Deposition (CVD) Siliziumcarbid (SiC), Tantalcarbid (TaC) a pyrolytesche Kuelestoff (PyC) si fir kritesch Ëmfeld an der Hallefleederproduktioun entwéckelt a bidden eng aussergewéinlech chemesch Inertheet, extrem thermesch Stabilitéit an ultrahéich Rengheet (< 5 ppm). Eis fortgeschratt Beschichtunge si entwéckelt fir héichreine Graphit- a Keramiksubstrater viru aggressivem Plasma, reaktive Prozessgaser an héijem thermesche Zyklen ze schützen. Si miniméieren d'Partikelgeneratioun a verlängeren d'Liewensdauer vun de Komponenten däitlech.Silizium/SiC-Epitaxie, MOCVD, Plasmaätzen a MonokristallwuesstemUwendungen.

Ultrahéich Rengheet (< 5 ppm)

GDMS-verifizéiert niddreg metallesch Ongereinheeten fir Waferkontaminatioun a kritesche Prozesser ze vermeiden.

Iwwerleeën Plasma- a Gasresistenz

Déi dicht kristallin Struktur schützt géint Halogenplasma (CF₄, NF₃, Cl₂) a korrosiv Gasen.

Optiméiert thermesch Upassung

Strikt CTE-Kontroll eliminéiert Mikrorëssbildung an Delaminatioun vun der Beschichtung ënner schwéieren Thermoschocken.

Beschichtungsart	Schlëssel technesche Virdeel	Primärprozessapplikatioun
CVD SiC Beschichtung	Héich thermesch Konduktivitéit, exzellent Plasmaerosiounsbeständegkeet	Dréchenätzung, Si-Epitaxie, MOCVD, Kristallwuesstum
CVD TaC Beschichtung	Extrem Temperaturbeständegkeet (>2000°C), H₂/SiH₄ Korrosiounsbarriär	SiC-Epitaxie, Eenkristall-SiC PVT-Wuesstum
PyC-Beschichtung	Hermetesch Gasversiegelung, ultra-glat anisotrop Kuelestoffuewerfläch	Wärmefeldisolatioun, CZ Monokristallin Silizium