CVD SiC-belagte komponenter til siliciumepitaksi (Si Epi)
Præcisionskonstrueret til single-wafer og batch Silicon Epitaxial depositionssystemer, vores CVD SiC-belagte susceptorer, satellitskiver og termiske feltkomponenter leverer enestående termisk ensartethed og nul udgasning. Det kubiske β-SiC-belægningslag med høj densitet indkapsler fuldstændigt det renhedsbaserede grafitsubstrat, hvilket forhindrer reaktiv gasætsning (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) og garanterer ultralave niveauer af metalliske urenheder (< 5 ppm) under højtemperatur Si Epi-behandling (1000°C - 1200°C).
Kontrolleret emissivitet sikrer præcis ensartet filmtykkelse fra kant til center på waferen.
Giver robust beskyttelse mod in-situ kammerrengøringskemikalier og termiske chok.
Præcisions-CNC-fræset til at passe til almindelige 200 mm/300 mm enkeltwafer-EPI-værktøjer (Applied Materials, ASM).
| Teknisk parameter | Specifikationsværdi | Standard / Testmetode |
|---|---|---|
| Belægningsmateriale | CVD β-SiC (kubisk fase) | Krystallinsk struktur med høj densitet |
| Underlagsmateriale | Ultra-ren isostatisk grafit | Densitet: 1,82 - 1,88 g/cm³ |
| Kemisk renhed | Samlede urenheder < 5 ppm | GDMS-testet |
| Belægningstykkelse | 80 μm - 150 μm | Ensartethed ≤ ±5% |
