Avancerede CVD-belægninger til epitaksial vækst af SiC
Vores CVD SiC- og TaC-belagte planetariske susceptorer, satellitskiver og gasdeflektorer er skræddersyet til højtydende halvlederkomponentprocesser, der opererer under ekstrem termisk belastning (1500°C - 1700°C), og er bygget til at udmærke sig. Vores avancerede belægninger er designet til at forhindre partikeldannelse, overfladenedbrydning og reaktiv gasætsning (H₂, SiH₄, C₃H∯) og sikrer lang levetid, overlegen dopantkontrol og ensartethed i høj filmtykkelse på tværs.6-tommer og 8-tommer SiC epitaksiale wafere.
Termisk stabil op til 1700°C i miljøer med høj H₂/silanreducering.
Eliminerer delaminering, mikrorevner og afskalning af belægningen under hurtige termiske cyklusser.
Præcisions-CNC-bearbejdning skræddersyet til næste generations højkapacitets SiC Epi-reaktorer (LPE, Aixtron, Nuflare).
| Teknisk parameter | Specifikationsværdi | Standard / Testmetode |
|---|---|---|
| Muligheder for belægningsmateriale | CVD SiC / Tantalkarbid (TaC) | Højrent hermetisk lag |
| Basissubstrat | Renset isostatisk grafit | Bulk urenhed < 5 ppm |
| Termisk stødmodstand | Delta T > 500°C rampehastighed | Ingen revner/afskalning |
| Overfladeruhed (Ra) | ≤ 0,4 μm (spejlpoleret) | Forhindrer fastklæbning af vafler og partikler |
