vet-china tutvustab tipptasemel Contiguous Wafer Boat'i, mis on konstrueeritud järgmise põlvkonna pooljuhtide tootmiseks. See hoolikalt disainitud paat pakub enneolematut täpsust kiipide käsitsemisel, tagades sujuva töö ja vähendades oluliselt kahjustuste ohtu töötlemise ajal.
Kvaliteetsetest materjalidest valmistatud Contiguous Wafer Boat uhkeldab suurepärase termilise stabiilsuse ja erakordse keemilise vastupidavusega, mistõttu sobib see ideaalselt kõrge temperatuuri ja karmide keemiliste keskkondade jaoks. Selle uuenduslik disain tagab vahvlite kindla kinnituse ja täiusliku joondamise, optimeerides läbilaskevõimet ja suurendades tootmise efektiivsust.
See tipptasemel kiibipaat on kohandatud vastama tänapäevaste pooljuhtide tehaste nõudlikele vajadustele, toetades erinevaid kiibisuurusi ja konfiguratsioone. Lisades vet-china Contiguous Wafer Boati oma tootmisliinile, võite oodata paremat jõudlust, lühemat seisakut ja suuremat tootlust.
Kogege erinevust vet-china pühendumusega kvaliteedile ja innovatsioonile, pakkudes tooteid, mis nihutavad pooljuhtide tootmise piire. Valige Contiguous Wafer Boat ja viige oma kiipide töötlemise võimalused uutesse kõrgustesse.
Rekristalliseerunud ränikarbiidi omadused
Rekristalliseerunud ränikarbiid (R-SiC) on kõrgjõudlusega materjal, mille kõvadus on teisel kohal ainult teemandi järel ja mis moodustub kõrgel temperatuuril üle 2000 ℃. See säilitab paljusid ränikarbiidi suurepäraseid omadusi, nagu kõrge temperatuurikindlus, tugev korrosioonikindlus, suurepärane oksüdatsioonikindlus, hea kuumakindlus ja nii edasi.
● Suurepärased mehaanilised omadused. Rekristalliseerunud ränikarbiidil on suurem tugevus ja jäikus kui süsinikkiul, kõrge löögikindlus, see sobib hästi äärmuslike temperatuuridega keskkondadesse ja pakub paremat tasakaalustusvõimet erinevates olukordades. Lisaks on sellel hea paindlikkus ning see ei kahjustu venitamisel ega painutamisel kergesti, mis parandab oluliselt selle jõudlust.
● Kõrge korrosioonikindlus. Rekristalliseerunud ränikarbiidil on kõrge korrosioonikindlus mitmesuguste keskkondade suhtes, see suudab vältida mitmesuguste söövitavate keskkondade erosiooni, säilitab oma mehaanilised omadused pikka aega ja omab tugevat nakkuvust, mistõttu on sellel pikem kasutusiga. Lisaks on sellel ka hea termiline stabiilsus, see suudab kohaneda teatud temperatuurimuutustega ja parandab oma rakenduslikku efekti.
● Paagutamine ei tõmbu kokku. Kuna paagutamisprotsess ei tõmbu kokku, ei põhjusta jääkpinged toote deformatsiooni ega pragunemist ning saab valmistada keeruka kuju ja suure täpsusega detaile.
| 重结晶碳化硅物理特性 Rekristalliseerunud ränikarbiidi füüsikalised omadused | |
| 性质 / Kinnisvara | 典型数值 / Tüüpiline väärtus |
| 使用温度/ Töötemperatuur (°C) | 1600 °C (hapnikuga), 1700 °C (redutseerivas keskkonnas) |
| ränikarbiid含量/ SiC sisaldus | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Tasuta Si sisu | < 0,1% |
| 体积密度/Mahutihedus | 2,60–2,70 g/cm³3 |
| 气孔率/ Näiv poorsus | < 16% |
| 抗压强度/ Survetugevus | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Külmpaindetugevus | 80–90 MPa (20 °C) |
| 高温抗弯强度Kuumpaindetugevus | 90–100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Soojuspaisumine @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Soojusjuhtivus @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Elastsusmoodul | 240 GPa |
| 抗热震性/ Termiline löögikindlus | Äärmiselt hea |
Kutseõppe energia on seeCVD-kattega kohandatud grafiidist ja ränikarbiidist toodete tegelik tootja,saab tarnidamitmesugusedpooljuhtide ja fotogalvaanika tööstuse kohandatud osad. OMeie tehniline meeskond pärineb tipptasemel kodumaistest teadusasutustest, suudab pakkuda professionaalsemaid materjalilahendusi.sinu jaoks.
Arendame pidevalt täiustatud protsesse, et pakkuda veelgi täiustatumaid materjale,jaon välja töötanud eksklusiivse patenteeritud tehnoloogia, mis muudab katte ja aluspinna vahelise nakkuvuse tihedamaks ja vähem altid eraldumisele.
| Südame-veresoonkonna haigus SiC薄膜基本物理性能 CVD-siikarbiidi põhilised füüsikalised omadusedkate | |
| 性质 / Kinnisvara | 典型数值 / Tüüpiline väärtus |
| 晶体结构 / Kristallstruktuur | FCC β-faas多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tihedus | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kõvadus | 2500 维氏硬度 (500 g koorem) |
| 晶粒大小 Teravilja suurus | 2–10 μm |
| 纯度 / Keemiline puhtus | 99,99995% |
| 热容 / Soojusmahtuvus | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatsioonitemperatuur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Paindetugevus | 415 MPa RT 4-punktiline |
| 杨氏模量 / Youngi moodul | 430 Gpa 4pt painutus, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalJuhtivus | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Soojuspaisumine (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Tere tulemast meie tehasesse külla, arutame lähemalt!
