vet-china presenta un Contiguous Wafer Boat all'avanguardia, progettato per la prossima generazione di produzione di semiconduttori. Questo modello, progettato meticolosamente, offre una precisione senza pari nella movimentazione dei wafer, garantendo operazioni senza interruzioni e riducendo significativamente il rischio di danni durante la lavorazione.
Costruito con materiali di alta qualità, il Contiguous Wafer Boat vanta un'eccellente stabilità termica e un'eccezionale resistenza chimica, rendendolo ideale per ambienti ad alte temperature e con agenti chimici aggressivi. Il suo design innovativo garantisce che i wafer siano saldamente fissati e perfettamente allineati, ottimizzando la produttività e aumentando l'efficienza produttiva.
Questa barca per wafer all'avanguardia è progettata per soddisfare le complesse esigenze delle moderne fabbriche di semiconduttori, supportando wafer di varie dimensioni e configurazioni. Integrando la barca per wafer contigua di vet-china nella vostra linea di produzione, potete aspettarvi prestazioni migliori, tempi di fermo ridotti e tassi di rendimento più elevati.
Scopri la differenza con l'impegno di vet-china per la qualità e l'innovazione, offrendo prodotti che ampliano i confini della produzione di semiconduttori. Scegli la Contiguous Wafer Boat e porta le tue capacità di lavorazione dei wafer a nuovi livelli.
Proprietà del carburo di silicio ricristallizzato
Il carburo di silicio ricristallizzato (R-SiC) è un materiale ad alte prestazioni con una durezza seconda solo a quella del diamante, che si forma a temperature superiori a 2000 °C. Mantiene molte delle eccellenti proprietà del SiC, come la resistenza alle alte temperature, la forte resistenza alla corrosione, l'eccellente resistenza all'ossidazione, la buona resistenza agli shock termici e così via.
● Eccellenti proprietà meccaniche. Il carburo di silicio ricristallizzato presenta una maggiore resistenza e rigidità rispetto alla fibra di carbonio, un'elevata resistenza agli urti, buone prestazioni in ambienti con temperature estreme e un migliore bilanciamento in una varietà di situazioni. Inoltre, ha una buona flessibilità e non si danneggia facilmente per stiramento e flessione, il che ne migliora notevolmente le prestazioni.
● Elevata resistenza alla corrosione. Il carburo di silicio ricristallizzato presenta un'elevata resistenza alla corrosione in una varietà di ambienti, può prevenire l'erosione di una varietà di agenti corrosivi, può mantenere a lungo le sue proprietà meccaniche e ha una forte adesione, garantendo una maggiore durata. Inoltre, ha anche una buona stabilità termica, può adattarsi a un certo intervallo di variazioni di temperatura e ne migliora l'efficacia applicativa.
● La sinterizzazione non si restringe. Poiché il processo di sinterizzazione non si restringe, non si formano tensioni residue che causano deformazioni o crepe nel prodotto, consentendo di realizzare parti con forme complesse e alta precisione.
| 重结晶碳化硅物理特性 Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 使用温度/ Temperatura di lavoro (°C) | 1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente) |
| SiC含量/ Contenuto di SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Contenuto gratuito Si | < 0,1% |
| 体积密度/Densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Porosità apparente | < 16% |
| 抗压强度/ Resistenza alla compressione | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Resistenza alla flessione a freddo | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Resistenza alla flessione a caldo | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Espansione termica a 1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Conduttività termica a 1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulo elastico | 240 GPa |
| 抗热震性/ Resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
VET Energy è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevaricomponenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico. Oil nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornire soluzioni di materiali più professionaliper te.
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| malattie cardiovascolari SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico da 500 g) |
| 晶粒大小 / Granulometria | 2~10μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT 4 punti |
| 杨氏模量 / Modulo di Young | 430 Gpa 4pt curva, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConduttività | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Espansione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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