Barca per wafer contigua

Immagine in evidenza della barca di wafer contigua

Breve descrizione:

Il sistema di movimentazione continua dei wafer di vet-china è progettato per una gestione efficiente dei wafer nella produzione di semiconduttori. Progettata con precisione, la soluzione di vet-china garantisce stabilità termica e resistenza chimica, ottimizzando i processi produttivi, riducendo al minimo i danni e aumentando la produttività.

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vet-china presenta una piattaforma per wafer contigui all'avanguardia, progettata per la prossima generazione di produzione di semiconduttori. Questa piattaforma, meticolosamente progettata, offre una precisione senza pari nella movimentazione dei wafer, garantendo operazioni fluide e riducendo significativamente il rischio di danni durante la lavorazione.

Costruita con materiali di alta qualità, la Contiguous Wafer Boat vanta un'eccellente stabilità termica e un'eccezionale resistenza chimica, caratteristiche che la rendono ideale per ambienti ad alta temperatura e con agenti chimici aggressivi. Il suo design innovativo garantisce che i wafer siano tenuti saldamente e perfettamente allineati, ottimizzando la produttività e aumentando l'efficienza produttiva.

Questa innovativa piattaforma per wafer è progettata per soddisfare le esigenze più complesse dei moderni stabilimenti di produzione di semiconduttori, supportando wafer di diverse dimensioni e configurazioni. Integrando la piattaforma per wafer contigui di vet-china nella vostra linea di produzione, potrete beneficiare di prestazioni migliorate, tempi di inattività ridotti e tassi di rendimento più elevati.

Scoprite la differenza con l'impegno di vet-china per la qualità e l'innovazione, che offre prodotti in grado di superare i limiti della produzione di semiconduttori. Scegliete il Contiguous Wafer Boat e portate le vostre capacità di lavorazione dei wafer a nuovi livelli.

Proprietà del carburo di silicio ricristallizzato

Il carburo di silicio ricristallizzato (R-SiC) è un materiale ad alte prestazioni con una durezza seconda solo a quella del diamante, che si forma ad un'alta temperatura superiore a 2000 °C. Conserva molte delle eccellenti proprietà del SiC, come l'elevata resistenza alle alte temperature, la forte resistenza alla corrosione, l'eccellente resistenza all'ossidazione, la buona resistenza agli shock termici e così via.

● Eccellenti proprietà meccaniche. Il carburo di silicio ricristallizzato ha una resistenza e una rigidità superiori rispetto alla fibra di carbonio, un'elevata resistenza agli urti, può svolgere un buon lavoro in ambienti con temperature estreme e può garantire un migliore bilanciamento in diverse situazioni. Inoltre, possiede anche una buona flessibilità e non si danneggia facilmente con allungamenti e piegamenti, il che ne migliora notevolmente le prestazioni.

● Elevata resistenza alla corrosione. Il carburo di silicio ricristallizzato presenta un'elevata resistenza alla corrosione in diversi ambienti, prevenendo l'erosione causata da agenti corrosivi, mantenendo a lungo le proprie proprietà meccaniche e garantendo una forte adesione, con conseguente maggiore durata. Inoltre, possiede una buona stabilità termica, adattandosi a un certo intervallo di variazioni di temperatura e migliorando le prestazioni applicative.

● La sinterizzazione non provoca contrazione. Poiché il processo di sinterizzazione non comporta contrazione, non si verificano tensioni residue che causano deformazioni o crepe nel prodotto, consentendo la realizzazione di componenti con forme complesse e di elevata precisione.

重结晶碳化硅物理特性 Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato
性质 / Proprietà	典型数值 / Valore tipico
使用温度/ Temperatura di esercizio (°C)	1600 °C (con ossigeno), 1700 °C (in ambiente riducente)
SiC含量/ Contenuto di SiC	> 99,96%
自由Si含量/ Contenuto di Si libero	< 0,1%
体积密度/densità apparente	2,60-2,70 g/cm³
气孔率Porosità apparente	< 16%
抗压强度/ Resistenza alla compressione	> 600MPa
常温抗弯强度/resistenza alla flessione a freddo	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度resistenza alla piegatura a caldo	90-100 MPa (1400 °C)
热膨胀系数/ Dilatazione termica a 1500 °C	4,70 10^-6/°C
导热系数/Conduttività termica a 1200 °C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulo elastico	240 GPa
抗热震性/ Resistenza agli shock termici	Estremamente buono

VETF Energy è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariComponenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali ed è in grado di fornire soluzioni materiali più professionali.per te.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno sviluppato una tecnologia brevettata esclusiva, in grado di rendere l'adesione tra il rivestimento e il substrato più forte e meno soggetta al distacco.

Malattia cardiovascolare SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 / Valore tipico
晶体结构 / Struttura cristallina	Fase β FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico da 500 g)
晶粒大小 / Dimensione del grano	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura di sublimazione	2700℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT 4 punti
杨氏模量 Modulo di Young	430 GPa piegatura a 4 punti, 1300℃
导热系数 / ThermalConduttività	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1