Tha vet-china a’ toirt a-steach Bàta Wafer Leantainneach den ìre as àirde a chaidh a dhealbhadh airson an ath ghinealach de saothrachadh leth-chonnsachaidh. Tha am bàta seo, a chaidh a dhealbhadh gu faiceallach, a’ tabhann mionaideachd gun choimeas ann an làimhseachadh wafer, a’ dèanamh cinnteach à obrachadh gun fhiosta agus a’ lughdachadh gu mòr cunnart milleadh rè giullachd.
Air a thogail le stuthan àrd-inbhe, tha seasmhachd teirmeach sàr-mhath agus strì an aghaidh cheimigean aig a’ Bhàta Wafer Contiguous, ga dhèanamh freagarrach airson àrainneachdan àrd-teodhachd agus ceimigeach cruaidh. Tha an dealbhadh ùr-ghnàthach aige a’ dèanamh cinnteach gu bheil na wafers air an cumail gu tèarainte agus air an co-thaobhadh gu foirfe, a’ leasachadh an toraidh agus ag àrdachadh èifeachdas saothrachaidh.
Tha am bàta wafer ùr-nodha seo air a dhealbhadh gus coinneachadh ri feumalachdan dùbhlanach factaraidhean leth-chonnsachaidh an latha an-diugh, a’ toirt taic do dhiofar mheudan agus rèiteachaidhean wafer. Le bhith a’ toirt a-steach am Bàta Wafer Contiguous bho vet-china a-steach don loidhne riochdachaidh agad, faodaidh dùil a bhith agad ri coileanadh nas fheàrr, ùine downt nas lugha, agus ìrean toraidh nas àirde.
Faigh eòlas air an eadar-dhealachadh le dealas vet-china do chàileachd agus ùr-ghnàthachadh, a’ lìbhrigeadh thoraidhean a bhios a’ putadh crìochan saothrachadh leth-chonnsachaidh. Tagh am Bàta Wafer Contiguous agus àrdaich do chomasan giullachd wafer gu àirdean ùra.
Feartan carbide silicon ath-chriostalaichte
'S e stuth àrd-choileanaidh a th' ann an carbide silicon ath-chriostalaichte (R-SiC) le cruas san dàrna àite às dèidh daoimean, a thèid a chruthachadh aig teòthachd àrd os cionn 2000℃. Tha mòran fheartan sàr-mhath aig SiC ann, leithid neart teòthachd àrd, strì an aghaidh creimeadh làidir, strì an aghaidh ocsaididh sàr-mhath, deagh strì an aghaidh clisgeadh teirmeach agus mar sin air adhart.
● Feartan meacanaigeach sàr-mhath. Tha neart agus stiffness nas àirde aig carbide silicon ath-chriostalaichte na tha aig snàithleach gualain, strì an aghaidh buaidh àrd, faodaidh e deagh choileanadh a chluich ann an àrainneachdan teòthachd anabarrach, faodaidh e coileanadh cothromachaidh nas fheàrr a chluich ann an grunn shuidheachaidhean. A bharrachd air an sin, tha sùbailteachd mhath aige cuideachd agus chan eil e furasta a mhilleadh le sìneadh agus lùbadh, a leasaicheas a choileanadh gu mòr.
● Seasmhachd àrd an aghaidh creimeadh. Tha seasamh àrd an aghaidh creimeadh aig carbide silicon ath-chriostalaichte ri measgachadh de mheadhanan, faodaidh e casg a chuir air creimeadh measgachadh de mheadhanan creimneach, faodaidh e na feartan meacanaigeach aige a chumail suas airson ùine mhòr, tha greamachadh làidir aige, agus mar sin bidh beatha seirbheis nas fhaide aige. A bharrachd air an sin, tha deagh sheasmhachd teirmeach aige cuideachd, faodaidh e atharrachadh gu raon sònraichte de dh’ atharrachaidhean teòthachd, agus a bhuaidh tagraidh a leasachadh.
● Chan eil crìonadh ann an sintearachd. Leis nach eil am pròiseas sintearachd a’ crìonadh, cha bhith cuideam sam bith a tha air fhàgail ag adhbhrachadh deformachadh no sgàineadh an toraidh, agus faodar pàirtean le cumaidhean iom-fhillte agus mionaideachd àrd ullachadh.
| 理特性 Feartan corporra carbaid silicon ath-chriostalaichte | |
| 性质 / Seilbh | 典型数值 / Luach Àbhaisteach |
| 用温度/ Teòthachd obrach (°C) | 1600°C (le ocsaidean), 1700°C (àrainneachd lughdachadh) |
| SiCAch/ susbaint SiC | > 99.96% |
| àitSi 含量/ Susbaint Si an-asgaidh | < 0.1% |
| Leughadh 密度/Dlùths mòr-chuid | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ Porachd follaiseach | < 16% |
| 抗压强度Neart teannachaidh | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Neart lùbadh fuar | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Neart lùbadh teth | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数Leudachadh teirmeach @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Seoltachd teirmeach @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modúl leaisteach | 240 GPa |
| 抗热震性/ Seasmhachd clisgeadh teirmeach | Air leth math |
Tha lùth VET anfìor neach-dèanamh de thoraidhean grafait is silicon carbide gnàthaichte le còmhdach CVD,as urrainn solarachadhdiofarpàirtean gnàthaichte airson gnìomhachas leth-chonnsachaidh agus photovoltaic. OTha an sgioba theicnigeach againn a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, agus is urrainn dhaibh fuasglaidhean stuthan nas proifeiseanta a thoirt seachadDhutsa.
Bidh sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad,agustha iad air teicneòlas peutant sònraichte obrachadh a-mach, a dh’ fhaodas an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teinne agus nas lugha de chothrom ann gun tèid e às a chèile.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdach | |
| 性质 / Seilbh | 典型数值 / Luach Àbhaisteach |
| 晶体结构 / Structar criostail | Ìre β FCC多晶,主要为（111） |
| Seadh / Dlùths | 3.21 g/cm³ |
| 硬 度 / Cruas | 2500 维氏硬度（500g load） |
| 晶粒大小 / Meud Gràin | 2 ~ 10μm |
| 纯 度 Purrachd Cheimigeach | 99.99995% |
| adh Comas Teas | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 Teòthachd Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 Neart Lùbadh | 415 MPa RT 4-puing |
| 杨氏模量 Modúl Young | Lùb 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalSeoltachd | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 Leudachadh Teirmeach (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Fàilte chridheil oirbh tadhal air an fhactaraidh againn, leig dhuinn barrachd deasbaid a bhith againn!
-
Gr fèin-shèalachaidh fèin-leudachaidh aig teòthachd àrd ...
-
Cumhachd cùl-taic so-ghiùlain cealla connaidh haidridean UAV Pem ...
-
Pumpa falamh dealain cumhachd breic àrdachaidh taice ...
-
Graf pumpa falamh preas grafait àrd-dùmhlachd ...
-
Stac Ceallan Connaidh Haidridean 1000w a ghabhas cleachdadh...
-
Molltair Grafait