Doon Wafer ah oo is dul saaran

Sawirka Lagu Soo Bandhigay Doonta Wafer-ka ah ee Isku Xigta

Sharaxaad Gaaban:

Doonta Wafer-ka ee isku xiran ee ka timid Shiinaha xoolaha waxaa loogu talagalay in si hufan loogu maareeyo wafer-ka wax soo saarka semiconductor-ka. Iyada oo si sax ah loo farsameeyay, xalka xoolaha-shiinaha wuxuu hubiyaa xasilloonida kulaylka iyo iska caabbinta kiimikada, isagoo wanaajiya hababka wax soo saarka iyadoo la yareynayo waxyeelada iyo kor u qaadista wax soo saarka.

Noo soo dir emayl Soo dejiso sida PDF ahaan

Faahfaahinta Badeecada

Calaamadaha Alaabta

Doonta vet-china waxay soo bandhigaysaa Doon Wafer ah oo casri ah oo loo habeeyay jiilka soo socda ee wax soo saarka semiconductor-ka. Doontan si taxaddar leh loo qaabeeyey waxay bixisaa saxnaan aan la barbar dhigi karin oo ku saabsan maaraynta wafer-ka, iyadoo hubinaysa hawlgallo aan kala go 'lahayn iyo si weyn u yareynta khatarta waxyeelada inta lagu jiro farsamaynta.

Doonta Contiguous Wafer oo lagu sameeyay agab tayo sare leh, waxay ku faantaa xasillooni kuleyl oo aad u fiican iyo iska caabin kiimiko oo heer sare ah, taasoo ka dhigaysa mid ku habboon jawiga heerkulka sare iyo kiimikada adag. Naqshadeeda cusub waxay hubineysaa in wafer-ka si ammaan ah loo hayo oo si fiican loo habeeyay, iyadoo wanaajisa wax soo saarka iyo kordhinta hufnaanta wax soo saarka.

Doontan casriga ah ee wafer-ka ah waxaa loogu talagalay inay daboosho baahiyaha adag ee warshadaha semiconductor-ka casriga ah, iyadoo taageeraysa cabbirro iyo qaabab kala duwan oo wafer ah. Markaad ku darto Doonta Wafer-ka ee Contiguous ee ka timid Shiinaha-ga khadkaaga wax soo saarka, waxaad filan kartaa waxqabad la wanaajiyey, hoos u dhac ku yimid waqtiga shaqada, iyo heerarka wax soo saarka oo kordhay.

Kala duwanaanshaha ku saabsan ballanqaadka Shiinaha ee tayada iyo hal-abuurka, adigoo keenaya alaab kor u qaadaysa xuduudaha wax soo saarka semiconductor-ka. Dooro Doonta Wafer-ka ee Isku Xigta oo kor u qaad awoodahaaga farsamaynta Wafer-ka ilaa heer cusub.

Sifooyinka carbide-ka silicon ee dib loo warshadeeyay

Carbohydrate silicon ah oo dib loo warshadeeyay (R-SiC) waa walax waxqabad sare leh oo leh adkeysi ka dambeeya dheemanka oo keliya, kaas oo lagu sameeyo heerkul sare oo ka sarreeya 2000℃. Waxay haysaa sifooyin badan oo aad u fiican oo SiC ah, sida xoogga heerkulka sare, iska caabbinta daxalka oo xooggan, iska caabbinta oksaydhka oo aad u fiican, iska caabbinta shoogga kulaylka oo wanaagsan iyo wixii la mid ah.

● Sifooyin farsamo oo heer sare ah. Kaarboohaydraytka silicon ee dib loo warshadeeyay wuxuu leeyahay xoog iyo adkaansho ka sarreeya faybarka kaarboonka, iska caabinta saameynta sare leh, wuxuu ciyaari karaa waxqabad wanaagsan jawiga heerkulka daran, wuxuu ciyaari karaa waxqabad dheelitirnaan oo ka wanaagsan xaalado kala duwan. Intaa waxaa dheer, wuxuu sidoo kale leeyahay dabacsanaan wanaagsan mana si fudud u dhaawaco fidinta iyo foorarsiga, taas oo si weyn u wanaajisa waxqabadkeeda.

● Iska caabinta daxalka oo sareysa. Kaarboohaydraytka silicon ee dib loo warshadeeyay wuxuu leeyahay iska caabin daxalka oo sareeya oo u adkaysta noocyo kala duwan oo warbaahin ah, wuxuu ka hortagi karaa nabaad-guurka noocyada kala duwan ee warbaahinta daxalka, wuxuu ilaalin karaa sifooyinkiisa farsamada muddo dheer, wuxuu leeyahay dhegdheg xooggan, si uu u yeesho cimri dheer oo adeeg ah. Intaa waxaa dheer, wuxuu sidoo kale leeyahay xasillooni kuleyl oo wanaagsan, wuxuu la qabsan karaa noocyo kala duwan oo isbeddel heerkul ah, wuxuu hagaajin karaa saameyntiisa codsiga.

● Sinterization-ku ma yaraado. Maadaama habka sintering-ku uusan yaraanayn, ma jiro cadaadis haraadi ah oo sababi doona isbeddel ama dildilaac ku yimaada badeecada, waxaana la diyaarin karaa qaybo leh qaabab adag iyo saxnaan sare.

重结晶碳化硅物理特性 Sifooyinka Jireed ee Silicon Carbide-ka Dib loo Dib-u-habeeyey
性质 / Hantida	典型数值 / Qiimaha Caadiga ah
使用温度/ Heerkulka shaqada (°C)	1600°C (oo leh ogsijiin), 1700°C (deegaan yareynaya)
SiC含量/ Waxyaabaha ku jira SiC	> 99.96%
自由Si含量/ Waxyaabaha bilaashka ah ee Si	< 0.1%
体积密度/Cufnaanta badan	2.60-2.70 g/cm³
气孔率/ Daloolo muuqata	< 16%
抗压强度/ Xoogga cadaadiska	> 600MPA
常温抗弯强度/Xoogga laabashada qabow	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Xoogga foorarsiga kulul	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数/ Ballaarinta kulaylka @1500°C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Qaboojinta kulaylka @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulus-ka Laastikada ah	240 GPA
抗热震性/ Iska caabbinta shoogga kulaylka	Aad u wanaagsan

Tamarta VET waa Shaki kuma jiro insoo saaraha dhabta ah ee alaabada graphite iyo silicon carbide ee loo habeeyay oo leh dahaarka CVD,bixin karaakala duwanqaybo loo habeeyey warshadaha semiconductor iyo photovoltaic. OKooxda farsamada ee aad ka tirsan tahay waxay ka timaadaa hay'adaha cilmi-baarista ee ugu sarreeya gudaha, waxayna bixin karaan xalal agab xirfadeed oo dheeraad ahadiga.

Waxaan si joogto ah u horumarinnaa habab horumarsan si aan u bixinno agab horumarsan,iyoWaxaan soo saarnay tiknoolajiyad gaar ah oo shati leh, taas oo ka dhigi karta isku xirka u dhexeeya dahaarka iyo substrate-ka mid adag oo aan u nuglaan karin kala-goynta.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifooyinka aasaasiga ah ee jireed ee CVD SiCdahaarka
性质 / Hantida	典型数值 / Qiimaha Caadiga ah
晶体结构 / Qaab-dhismeedka Crystal	Marxaladda FCC β多晶，主要为（111) 取向
密度 / Cufnaanta	3.21 g/cm³
硬度 / Adkaanta	2500 维氏硬度（500g oo culeys ah
晶粒大小 / Xaddiga Badarka	2 ~ 10μm
纯度 / Nadiifinta Kiimikada	99.99995%
热容 / Awoodda Kulaylka	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Heerkulka Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Xoogga Laablaabashada	415 MPa RT 4-dhibcood
杨氏模量 / Modulus-ka Young	430 GPA 4pt laab, 1300℃
导热系数 / ThermalGudbinta	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Ballaarinta Kulaylka (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1