Navis Wafer Contigua

Descriptio Brevis:

Navicula Laminarum Contigua a vet-china fabricata ad efficientem tractationem laminarum in fabricatione semiconductorum destinata est. Cum praecisione fabricata, solutio vet-chinae stabilitatem thermalem et resistentiam chemicam praestat, processus productionis optimizans dum damnum minuit et productionem auget.

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Vet-china navigium laminarum contiguarum (vel "contiguarum") artis summae modernissimae introducit, ad novam generationem fabricationis semiconductorum designatum. Hoc navigium, diligenter designatum, praecisionem incomparabilem in tractatione laminarum praebet, operationes continuas curans et periculum damni durante processu insigniter minuens.

Ex materiis summae qualitatis constructa, Navis Laminarum Contiguarum (Contigual Wafer Boat Boat) praeclara stabilitate thermali et resistentia chemica singulari gloriatur, quae eam aptam reddit ad temperaturas altas et ambitus chemicos asperos. Designatio eius nova efficit ut laminae firmiter teneantur et perfecte alignantur, quo productionem optimizatur et efficientia fabricationis augetur.

Haec navicula laminarum fabricandarum, novissima et moderna, ad necessitates exigentes fabricarum semiconductorum modernarum aptata est, varias magnitudines et configurationes laminarum sustinens. Incorporando Naviculam Laminarum Contiguam a vet-china in lineam productionis tuae, meliorem efficaciam, tempus inoperabile imminutum, et maiores taxas proventus exspectare potes.

Experire differentiam cum cura vet-chinae de qualitate et innovatione, producta praebens quae limites fabricationis semiconductorum extendunt. Elige Naviculam Laminarum Contiguam et facultates tuas processus laminarum ad nova cacumina eleva.

Proprietates carburi silicii recrystallizati

Silicium carburum recrystallizatum (R-SiC) est materia summae efficacitatis, cuius duritia secunda tantum adamantibus est, quae temperatura alta supra 2000℃ formatur. Multas proprietates praestantes SiC retinet, ut firmitatem altae temperaturae, fortem resistentiam corrosionis, excellentem resistentiam oxidationis, bonam resistentiam ictui thermali, et cetera.

● Proprietates mechanicae excellentes. Carburum silicii recrystallizatum maiorem vim et rigiditatem quam fibra carbonis habet, magnam resistentiam impacti, bonam actionem in temperaturis extremis praestare potest, meliorem contraponderationem in variis condicionibus praestare potest. Praeterea, etiam bonam flexibilitatem habet nec facile laeditur distensione et flexione, quod eius actionem magnopere auget.

● Alta resistentia corrosionis. Carburum silicii recrystallizatum magnam resistentiam corrosionis contra varia media habet, erosionem variorum mediorum corrosivorum impedire potest, proprietates mechanicas suas diu servare potest, adhaesionem firmam habet, ita ut vitam utilem longiorem habeat. Praeterea, etiam bonam stabilitatem thermalem habet, se ad certum intervallum mutationum temperaturae accommodare potest, effectum applicationis suae emendans.

● Sinterizatio non contrahitur. Quia processus sinterizationis non contrahitur, nulla vis residua deformationem vel fissuram producti causabit, et partes cum formis complexis et magna praecisione praeparari possunt.

重结晶碳化硅物理特性 Proprietates physicae carburi silicii recrystallizati
性质 / Proprietas	典型数值 / Valor Typicus
使用温度/ Temperatura operandi (°C)	1600°C (cum oxygenio), 1700°C (ambitu reducente)
SiC含量/ Contentum SiC	> 99.96%
自由Si含量/ Contenta gratuita Si	< 0.1%
体积密度/Densitas massae	2.60-2.70 g/cm³³
气孔率/ Porositas apparens	< 16%
抗压强度/ Robur compressionis	> 600MPa
常温抗弯强度/Robur flexionis frigidae	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Robur flexionis calidae	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数Expansio thermalis @1500°C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Conductivitas thermalis @1200°C	XXIIIW/m•K
杨氏模量/ Modulus elasticus	240 GPa
抗热震性/ Resistentia ad impetum thermalem	Optime

Energia VET est ille/illa/illudverus fabricator productorum graphiti et carburi silicii cum inductione CVD ad mensuram factarum,potest supplerevariiPartes ad usum fabricatae pro industria semiconductorum et photovoltaicorum. OTurma technica nostra ex summis institutis investigationis domesticis venit, solutiones materiales professionaliores praebere potest.tibi.

Processus provectiores continuo evolvimus ut materias provectiores praebeamus,ettechnologiam exclusivam et patentem excogitaverunt, quae nexum inter obductionem et substratum artiorem et minus pronam ad separationem reddere potest.

Morbus cardiovascularis (CVD) SiC薄膜基本物理性能 Proprietates physicae fundamentales SiC CVDobductio
性质 / Proprietas	典型数值 / Valor Typicus
晶体结构 / Structura Crystallina	FCC phasis beta.111）取向
密度 Densitas	3.21 g/cm³
硬度 / Duritia	MMD -500g onus
晶粒大小 / Magnitudo Grani	2~10μm
纯度 / Puritas Chemica	99.99995%
热容 / Capacitas Calorifera	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura Sublimationis	2700℃
抗弯强度 / Robur Flexionale	415 MPa RT 4-puncta
杨氏模量 Modulus Youngianus	Flexus 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / ThermaegoConductivitas	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 Expansio Thermica (CTE)	4.5×10^-6K^-1