vet-china memperkenalkan Bot Wafer Bersebelahan yang canggih yang direka bentuk untuk generasi pembuatan semikonduktor seterusnya. Bot yang direka bentuk dengan teliti ini menawarkan ketepatan yang tiada tandingan dalam pengendalian wafer, memastikan operasi yang lancar dan mengurangkan risiko kerosakan semasa pemprosesan dengan ketara.
Dibina dengan bahan berkualiti tinggi, Contiguous Wafer Boat mempunyai kestabilan haba yang sangat baik dan rintangan kimia yang luar biasa, menjadikannya sesuai untuk persekitaran suhu tinggi dan kimia yang keras. Reka bentuk inovatifnya memastikan wafer dipegang dengan selamat dan sejajar dengan sempurna, mengoptimumkan daya pemprosesan dan meningkatkan kecekapan pembuatan.
Bot wafer canggih ini direka bentuk untuk memenuhi keperluan mendesak fabrikasi semikonduktor moden, menyokong pelbagai saiz dan konfigurasi wafer. Dengan menggabungkan Bot Wafer Bersebelahan dari vet-china ke dalam barisan pengeluaran anda, anda boleh menjangkakan prestasi yang dipertingkatkan, masa henti yang dikurangkan dan kadar hasil yang meningkat.
Alami perbezaannya dengan komitmen vet-china terhadap kualiti dan inovasi, menghasilkan produk yang melangkaui sempadan pembuatan semikonduktor. Pilih Bot Wafer Bersebelahan dan tingkatkan keupayaan pemprosesan wafer anda ke tahap yang lebih tinggi.
Sifat-sifat silikon karbida yang dikristalisasi semula
Silikon karbida terhablur semula (R-SiC) ialah bahan berprestasi tinggi dengan kekerasan kedua selepas berlian, yang terbentuk pada suhu tinggi melebihi 2000℃. Ia mengekalkan banyak sifat SiC yang sangat baik, seperti kekuatan suhu tinggi, rintangan kakisan yang kuat, rintangan pengoksidaan yang sangat baik, rintangan kejutan haba yang baik dan sebagainya.
● Sifat mekanikal yang sangat baik. Silikon karbida yang dikristalisasi semula mempunyai kekuatan dan kekakuan yang lebih tinggi daripada gentian karbon, rintangan hentaman yang tinggi, boleh memainkan prestasi yang baik dalam persekitaran suhu yang melampau, boleh memainkan prestasi pengimbangan yang lebih baik dalam pelbagai situasi. Di samping itu, ia juga mempunyai fleksibiliti yang baik dan tidak mudah rosak akibat regangan dan lenturan, yang meningkatkan prestasinya dengan ketara.
● Rintangan kakisan yang tinggi. Silikon karbida yang dikristalisasi semula mempunyai rintangan kakisan yang tinggi terhadap pelbagai media, boleh mencegah hakisan pelbagai media menghakis, boleh mengekalkan sifat mekanikalnya untuk jangka masa yang lama, mempunyai lekatan yang kuat, supaya ia mempunyai hayat perkhidmatan yang lebih lama. Di samping itu, ia juga mempunyai kestabilan haba yang baik, boleh menyesuaikan diri dengan julat perubahan suhu tertentu, dan meningkatkan kesan aplikasinya.
● Sintering tidak mengecut. Oleh kerana proses sintering tidak mengecut, tiada tegasan baki akan menyebabkan ubah bentuk atau keretakan produk, dan bahagian-bahagian dengan bentuk kompleks dan ketepatan tinggi boleh disediakan.
| 重结晶碳化硅物理特性 Sifat fizikal Silikon Karbida Terhablur Semula | |
| 性质 / Hartanah | 典型数值 / Nilai Lazim |
| 使用温度/ Suhu kerja (°C) | 1600°C (dengan oksigen), 1700°C (persekitaran pengurangan) |
| SiC含量/ Kandungan SiC | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Kandungan Si percuma | < 0.1% |
| 体积密度/Ketumpatan pukal | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ Keliangan yang ketara | < 16% |
| 抗压强度/ Kekuatan mampatan | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kekuatan lenturan sejuk | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Kekuatan lenturan panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Pengembangan haba @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Kekonduksian terma @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulus elastik | 240 GPa |
| 抗热震性/ Rintangan kejutan haba | Sangat bagus |
Tenaga VET ialah yangpengeluar sebenar produk grafit dan silikon karbida tersuai dengan salutan CVD,boleh membekalkanpelbagaibahagian tersuai untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. OPasukan teknikal anda datang dari institusi penyelidikan domestik terkemuka, boleh menyediakan penyelesaian bahan yang lebih profesionaluntuk awak.
Kami sentiasa membangunkan proses canggih untuk menyediakan bahan yang lebih canggih,dantelah menghasilkan teknologi berpaten eksklusif yang boleh menjadikan ikatan antara salutan dan substrat lebih ketat dan kurang terdedah kepada ketertanggalan.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fizikal asas CVD SiCsalutan | |
| 性质 / Hartanah | 典型数值 / Nilai Lazim |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fasa β FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 Ketumpatan | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（500g beban） |
| 晶粒大小 / Saiz Bijirin | 2~10μm |
| 纯度 / Ketulenan Kimia | 99.99995% |
| 热容 / Kapasiti Haba | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Pemejalwapan | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Fleksibel | 415 MPa RT 4-titik |
| 杨氏模量 / Modulus Young | 430 Gpa 4pt selekoh, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalKekonduksian | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Pengembangan Terma (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Mesra mengalu-alukan anda untuk melawat kilang kami, mari kita berbincang lebih lanjut!
