-
ნახევარგამტარული პროცესი ფოტოლიტოგრაფიის სრული პროცესი
თითოეული ნახევარგამტარული პროდუქტის წარმოებას ასობით პროცესი სჭირდება. ჩვენ მთელ წარმოების პროცესს რვა ეტაპად ვყოფთ: ვაფლის დამუშავება-დაჟანგვა-ფოტოლითოგრაფია-გრავირება-თხელი აპკის დეპონირება-ეპიტაქსიური ზრდა-დიფუზია-იონური იმპლანტაცია. იმისათვის, რომ დაგეხმაროთ...დაწვრილებით -
4 მილიარდი! SK Hynix აცხადებს ნახევარგამტარული მოწინავე შეფუთვის ინვესტიციას Purdue Research Park-ში
დასავლეთ ლაფაიეტი, ინდიანა - SK hynix Inc.-მა გამოაცხადა თითქმის 4 მილიარდი დოლარის ინვესტიციის გეგმები, რათა პერდიუს კვლევით პარკში ხელოვნური ინტელექტის პროდუქტების შეფუთვის წარმოებისა და კვლევისა და განვითარების მოწინავე ობიექტი ააშენოს. დასავლეთ ლაფაიეტში აშშ-ის ნახევარგამტარების მიწოდების ჯაჭვში საკვანძო რგოლის შექმნა...დაწვრილებით -
ლაზერული ტექნოლოგია სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის დამუშავების ტექნოლოგიის ტრანსფორმაციას უწყობს ხელს
1. სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის დამუშავების ტექნოლოგიის მიმოხილვა სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის დამუშავების მიმდინარე ეტაპები მოიცავს: გარე წრის დაფქვას, დაჭრას, ჩაღრმავებას, დაფქვას, გაპრიალებას, გაწმენდას და ა.შ. დაჭრა მნიშვნელოვანი ეტაპია ნახევარგამტარული სუბსტრატის წარმოებაში...დაწვრილებით -
ძირითადი თერმული ველის მასალები: C/C კომპოზიტური მასალები
ნახშირბად-ნახშირბადის კომპოზიტები ნახშირბადის ბოჭკოვანი კომპოზიტების სახეობაა, სადაც გამაგრების მასალად ნახშირბადის ბოჭკოა გამოყენებული, ხოლო მატრიცულ მასალად - დალექილი ნახშირბადი. C/C კომპოზიტების მატრიცა ნახშირბადია. რადგან ის თითქმის მთლიანად ელემენტარული ნახშირბადისგან შედგება, მას აქვს შესანიშნავი მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადობა...დაწვრილებით -
SiC კრისტალების ზრდის სამი ძირითადი ტექნიკა
როგორც ნაჩვენებია ნახ. 3-ში, არსებობს სამი დომინანტური ტექნიკა, რომლებიც მიზნად ისახავს SiC მონოკრისტალის მაღალი ხარისხისა და ეფექტურობის უზრუნველყოფას: თხევადი ფაზის ეპიტაქსია (LPE), ფიზიკური ორთქლის ტრანსპორტირება (PVT) და მაღალტემპერატურულ ქიმიურ ორთქლის დეპონირება (HTCVD). PVT არის კარგად დამკვიდრებული პროცესი SiC sin...-ის წარმოებისთვის.დაწვრილებით -
მესამე თაობის ნახევარგამტარული GaN და მასთან დაკავშირებული ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის მოკლე შესავალი
1. მესამე თაობის ნახევარგამტარები პირველი თაობის ნახევარგამტარების ტექნოლოგია შემუშავდა ნახევარგამტარული მასალების, როგორიცაა Si და Ge, საფუძველზე. ეს არის ტრანზისტორებისა და ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიის განვითარების მატერიალური საფუძველი. პირველი თაობის ნახევარგამტარულმა მასალებმა საფუძველი ჩაუყარა...დაწვრილებით -
23.5 მილიარდი დოლარის ღირებულების სუჯოუს სუპერ-უნიკორნი IPO-ზე გაიყიდება
9 წლიანი მეწარმეობის შემდეგ, Innoscience-მა 6 მილიარდ იუანზე მეტი დაფინანსება მოიზიდა და მისი შეფასება გასაოცარ 23.5 მილიარდ იუანს მიაღწია. ინვესტორთა სია ათობით კომპანიის სიას აჭარბებს: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...დაწვრილებით -
როგორ აძლიერებს ტანტალის კარბიდით დაფარული პროდუქტები მასალების კოროზიისადმი მდგრადობას?
ტანტალის კარბიდის საფარი ფართოდ გამოყენებული ზედაპირის დამუშავების ტექნოლოგიაა, რომელსაც შეუძლია მნიშვნელოვნად გააუმჯობესოს მასალების კოროზიისადმი მდგრადობა. ტანტალის კარბიდის საფარის მიმაგრება სუბსტრატის ზედაპირზე შესაძლებელია სხვადასხვა მომზადების მეთოდით, როგორიცაა ქიმიური ორთქლის დეპონირება, ფიზიკური...დაწვრილებით -
მესამე თაობის ნახევარგამტარული GaN-ის და მასთან დაკავშირებული ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის შესავალი
1. მესამე თაობის ნახევარგამტარები პირველი თაობის ნახევარგამტარების ტექნოლოგია შემუშავდა ნახევარგამტარული მასალების, როგორიცაა Si და Ge, საფუძველზე. ეს არის ტრანზისტორებისა და ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიის შემუშავების მატერიალური საფუძველი. პირველი თაობის ნახევარგამტარულმა მასალებმა საფუძველი ჩაუყარა...დაწვრილებით