სიახლეები

რა არის ვაფლის დაჭრა?
ადმინისტრატორის მიერ 24-10-10
ნამდვილ ნახევარგამტარულ ჩიპად გადაქცევისთვის ვაფლმა სამი ცვლილება უნდა გაიაროს: პირველი, ბლოკის ფორმის ზოდი იჭრება ვაფლებად; მეორე პროცესში, წინა პროცესის მეშვეობით ტრანზისტორები ამოტვიფრულია ვაფლის წინა მხარეს; და ბოლოს, ხორციელდება შეფუთვა, ანუ ჭრის პროცესის მეშვეობით...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის კერამიკის გამოყენება ნახევარგამტარულ სფეროში
ადმინისტრატორის მიერ 24-10-10
ფოტოლიტოგრაფიული აპარატების ზუსტი ნაწილებისთვის სასურველი მასალა ნახევარგამტარული დარგში სილიციუმის კარბიდის კერამიკული მასალები ძირითადად გამოიყენება ინტეგრირებული სქემების წარმოების ძირითად აღჭურვილობაში, როგორიცაა სილიციუმის კარბიდის სამუშაო მაგიდა, სახელმძღვანელო რელსები, რეფლექტორები, კერამიკული შემწოვი ჩამკეტი, მკლავები,...
დაწვრილებით
რა არის ერთკრისტალური ღუმელის ექვსი სისტემა?
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-23
ერთკრისტალური ღუმელი არის მოწყობილობა, რომელიც იყენებს გრაფიტის გამათბობელს პოლიკრისტალური სილიციუმის მასალების ინერტულ აირის (არგონის) გარემოში დნობისთვის და იყენებს ჩოხრალსკის მეთოდს არადისლოცირებული ერთკრისტალების გასაზრდელად. იგი ძირითადად შედგება შემდეგი სისტემებისგან: მექანიკური...
დაწვრილებით
რატომ გვჭირდება გრაფიტი ერთკრისტალური ღუმელის თერმულ ველში?
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-23
ვერტიკალური მონოკრისტალური ღუმელის თერმულ სისტემას ასევე თერმულ ველს უწოდებენ. გრაფიტის თერმული ველის სისტემის ფუნქცია გულისხმობს სილიციუმის მასალების დნობისა და მონოკრისტალის ზრდის გარკვეულ ტემპერატურაზე შენარჩუნების მთელ სისტემას. მარტივად რომ ვთქვათ, ეს არის სრული დაჭერა...
დაწვრილებით
ნახევარგამტარული ფილების ჭრის რამდენიმე ტიპის პროცესი
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-20
ვაფლის ჭრა ერთ-ერთი მნიშვნელოვანი რგოლია ელექტრო ნახევარგამტარული წარმოების სფეროში. ეს ეტაპი შექმნილია ინდივიდუალური ინტეგრირებული სქემების ან ჩიპების ნახევარგამტარული ვაფლებისგან ზუსტად გამოსაყოფად. ვაფლის ჭრის გასაღები არის ინდივიდუალური ჩიპების გამოყოფის შესაძლებლობა, ამავდროულად იმის უზრუნველსაყოფად, რომ ნაზი სტრუქტურა...
დაწვრილებით
BCD პროცესი
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-18
რა არის BCD პროცესი? BCD პროცესი არის ერთჩიპიანი ინტეგრირებული პროცესის ტექნოლოგია, რომელიც პირველად ST-მ 1986 წელს წარადგინა. ამ ტექნოლოგიას შეუძლია ბიპოლარული, CMOS და DMOS მოწყობილობების ერთ ჩიპზე დამზადება. მისი გარეგნობა მნიშვნელოვნად ამცირებს ჩიპის ფართობს. შეიძლება ითქვას, რომ BCD პროცესი სრულად იყენებს...
დაწვრილებით
BJT, CMOS, DMOS და სხვა ნახევარგამტარული პროცესების ტექნოლოგიები
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-10
კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ვებსაიტზე პროდუქტის შესახებ ინფორმაციისა და კონსულტაციისთვის. ჩვენი ვებსაიტი: https://www.vet-china.com/ ნახევარგამტარების წარმოების პროცესები აგრძელებს გარღვევას, ინდუსტრიაში გავრცელდა ცნობილი განცხადება, სახელწოდებით „მურის კანონი“. ის იყო...
დაწვრილებით
ნახევარგამტარული ნიმუშის შექმნის პროცესის ნაკადის გრავირება
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-10
ადრეულმა სველმა გრავირებამ ხელი შეუწყო გაწმენდის ან ფერფლის პროცესების განვითარებას. დღესდღეობით, პლაზმის გამოყენებით მშრალი გრავირება გრავირების ძირითად პროცესს წარმოადგენს. პლაზმა შედგება ელექტრონების, კათიონებისა და რადიკალებისგან. პლაზმაზე მიწოდებული ენერგია იწვევს პლაზმის ყველაზე გარე ელექტრონების...
დაწვრილებით
8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიური ღუმელისა და ჰომეოეპიტაქსიური პროცესის კვლევა-Ⅱ
ადმინისტრატორის მიერ 24-09-04
2 ექსპერიმენტული შედეგები და განხილვა 2.1 ეპიტაქსიური ფენის სისქე და ერთგვაროვნება ეპიტაქსიური ფენის სისქე, დოპირების კონცენტრაცია და ერთგვაროვნება ეპიტაქსიური ვაფლების ხარისხის შეფასების ერთ-ერთი ძირითადი მაჩვენებელია. ზუსტად კონტროლირებადი სისქე, დოპირების...
დაწვრილებით