სიახლეები

რა არის CMP-ის პლანარიზაციის მექანიზმი?
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-25
ორმაგი დამასკური ტექნოლოგია გამოიყენება ინტეგრირებულ სქემებში ლითონის ურთიერთდაკავშირებული ნაწილების დასამზადებლად. ეს დამასკური პროცესის შემდგომი განვითარებაა. იმავე პროცესის ეტაპზე ერთდროულად გამჭოლი ხვრელებისა და ღარების ფორმირებით და მათი ლითონით შევსებით, ინტეგრირებული წარმოება...
დაწვრილებით
გრაფიტი TaC საფარით
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-21
I. პროცესის პარამეტრების შესწავლა 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar სისტემა 2. დალექვის ტემპერატურა: თერმოდინამიკური ფორმულის მიხედვით, გამოითვლება, რომ როდესაც ტემპერატურა 1273K-ზე მეტია, რეაქციის გიბსის თავისუფალი ენერგია ძალიან დაბალია და რეაქცია შედარებით დასრულებულია. რეალური...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდის პროცესისა და აღჭურვილობის ტექნოლოგია
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-21
1. SiC კრისტალების ზრდის ტექნოლოგიური გზა PVT (სუბლიმაციის მეთოდი), HTCVD (მაღალი ტემპერატურის CVD), LPE (თხევადი ფაზის მეთოდი) SiC კრისტალების ზრდის სამი გავრცელებული მეთოდია; ინდუსტრიაში ყველაზე აღიარებული მეთოდია PVT მეთოდი და SiC მონოკრისტალების 95%-ზე მეტი იზრდება PVT მეთოდით...
დაწვრილებით
ფოროვანი სილიციუმის ნახშირბადის კომპოზიტური მასალების მომზადება და მუშაობის გაუმჯობესება
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-13
ლითიუმ-იონური აკუმულატორები ძირითადად მაღალი ენერგიის სიმკვრივის მიმართულებით ვითარდება. ოთახის ტემპერატურაზე, სილიციუმის ბაზაზე დამზადებული უარყოფითი ელექტროდის მასალები ლითიუმთან შენადნობენ ლითიუმით მდიდარი პროდუქტის, Li3.75Si ფაზის მისაღებად, რომლის სპეციფიკური სიმძლავრე 3572 mAh/g-მდეა, რაც გაცილებით მაღალია, ვიდრე თეორიული...
დაწვრილებით
მონოკრისტალური სილიციუმის თერმული დაჟანგვა
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-13
სილიციუმის ზედაპირზე სილიციუმის დიოქსიდის წარმოქმნას დაჟანგვა ეწოდება, ხოლო სტაბილური და ძლიერად ადჰეზიური სილიციუმის დიოქსიდის შექმნამ გამოიწვია სილიციუმის ინტეგრირებული სქემის ბრტყელი ტექნოლოგიის დაბადება. მიუხედავად იმისა, რომ სილიციუმის დიოქსიდის პირდაპირ სილიციუმის ზედაპირზე გაზრდის მრავალი გზა არსებობს...
დაწვრილებით
ულტრაიისფერი დამუშავება ვენტილატორის დონის ვაფლის შეფუთვისთვის
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-05
ვაფლის დონის შეფუთვა (FOWLP) ნახევარგამტარული ინდუსტრიის ეკონომიურად ეფექტური მეთოდია. თუმცა, ამ პროცესის ტიპიური გვერდითი მოვლენებია დეფორმაცია და ჩიპების ოფსეტი. ვაფლის დონის და პანელის დონის შეფუთვასთან დაკავშირებული ტექნოლოგიის უწყვეტი გაუმჯობესების მიუხედავად, ჩამოსხმასთან დაკავშირებული ეს საკითხები კვლავ აქტუალურია...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის კერამიკა: ფოტოელექტრული კვარცის კომპონენტების ტერმინატორი
ადმინისტრატორის მიერ 24-11-05
დღევანდელი სამყაროს უწყვეტი განვითარებით, არაგანახლებადი ენერგია სულ უფრო და უფრო ამოწურულია და ადამიანის საზოგადოება სულ უფრო მეტად საჭიროებს განახლებადი ენერგიის გამოყენებას, რომელიც წარმოდგენილია „ქარის, სინათლის, წყლისა და ბირთვული ენერგიის“ სახით. სხვა განახლებადი ენერგიის წყაროებთან შედარებით, ადამიანები...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის კერამიკის მომზადების პროცესი რეაქტიული სინთეზირებით და უწნევო სინთეზირებით
ადმინისტრატორის მიერ 24-10-29
რეაქტიული სინთეზი სილიციუმის კარბიდის კერამიკის რეაქტიული სინთეზის წარმოების პროცესი მოიცავს კერამიკულ დატკეპნას, სინთეზის ნაკადის ინფილტრაციის აგენტის დატკეპნას, რეაქტიული სინთეზის კერამიკული პროდუქტის მომზადებას, სილიციუმის კარბიდის ხის კერამიკის მომზადებას და სხვა ეტაპებს. სილიციუმის რეაქტიული სინთეზი...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის კერამიკა: ნახევარგამტარული პროცესებისთვის აუცილებელი ზუსტი კომპონენტები
ადმინისტრატორის მიერ 24-10-29
ფოტოლიტოგრაფიის ტექნოლოგია ძირითადად ფოკუსირებულია ოპტიკური სისტემების გამოყენებაზე სილიკონის ვაფლებზე სქემების ნიმუშების გამოსავლენად. ამ პროცესის სიზუსტე პირდაპირ გავლენას ახდენს ინტეგრირებული სქემების მუშაობასა და წარმადობაზე. როგორც ჩიპების წარმოების ერთ-ერთი საუკეთესო აღჭურვილობა, ლითოგრაფიის აპარატი შეიცავს...
დაწვრილებით