ຂ່າວ

ເປັນຫຍັງກ່ອງເວເຟີຈຶ່ງມີເວເຟີ 25 ອັນ?
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-30
ໃນໂລກທີ່ທັນສະໄໝຂອງເທັກໂນໂລຢີທີ່ທັນສະໄໝ, ເວເຟີ ຫຼື ທີ່ຮູ້ກັນໃນນາມເວເຟີຊິລິໂຄນ ແມ່ນອົງປະກອບຫຼັກຂອງອຸດສາຫະກຳເຄິ່ງຕົວນຳ. ພວກມັນເປັນພື້ນຖານສຳລັບການຜະລິດອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກຕ່າງໆເຊັ່ນ: ໄມໂຄຣໂປເຊດເຊີ, ໜ່ວຍຄວາມຈຳ, ເຊັນເຊີ, ແລະອື່ນໆ, ແລະແຕ່ລະເວເຟີ...
ອ່ານຕື່ມ
ເສົາຄ້ຳທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປສຳລັບ epitaxy ໄລຍະໄອ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-30
ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການ epitaxy ໄລຍະໄອນ້ຳ (VPE), ບົດບາດຂອງຖານແມ່ນເພື່ອຮອງຮັບຊັ້ນໃຕ້ດິນ ແລະ ຮັບປະກັນຄວາມຮ້ອນທີ່ສະໝໍ່າສະເໝີໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່. ຖານປະເພດຕ່າງໆແມ່ນເໝາະສົມກັບສະພາບການເຕີບໃຫຍ່ ແລະ ລະບົບວັດສະດຸທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນບາງ...
ອ່ານຕື່ມ
ວິທີການຍືດອາຍຸການບໍລິການຂອງຜະລິດຕະພັນເຄືອບດ້ວຍ tantalum carbide?
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-26
ຜະລິດຕະພັນເຄືອບດ້ວຍທາດ Tantalum carbide ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ກັນທົ່ວໄປໃນອຸນຫະພູມສູງ, ມີລັກສະນະຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນ, ຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່, ແລະອື່ນໆ. ດັ່ງນັ້ນ, ພວກມັນຈຶ່ງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາເຊັ່ນ: ການບິນອະວະກາດ, ສານເຄມີ, ແລະພະລັງງານ. ເພື່ອສະແດງ...
ອ່ານຕື່ມ
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ PECVD ແລະ LPCVD ໃນອຸປະກອນ CVD ເຄິ່ງຕົວນຳແມ່ນຫຍັງ?
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-24
ການຕົກຕະກອນດ້ວຍໄອເຄມີ (CVD) ໝາຍເຖິງຂະບວນການວາງຟິມແຂງໄວ້ເທິງໜ້າຜິວຂອງແຜ່ນຊິລິໂຄນຜ່ານປະຕິກິລິຍາເຄມີຂອງສ່ວນປະສົມຂອງອາຍແກັສ. ອີງຕາມເງື່ອນໄຂປະຕິກິລິຍາທີ່ແຕກຕ່າງກັນ (ຄວາມກົດດັນ, ສານຕັ້ງຕົ້ນ), ມັນສາມາດແບ່ງອອກເປັນອຸປະກອນຕ່າງໆ...
ອ່ານຕື່ມ
ຄຸນລັກສະນະຂອງແມ່ພິມແກຣໄຟຣ໌ຊິລິກອນຄາໄບ
ໂດຍຜູ້ເບິ່ງແຍງລະບົບໃນວັນທີ 24-07-18
ແມ່ພິມກຣາໄຟດຊິລິກອນຄາໄບ ແມ່ພິມກຣາໄຟດຊິລິກອນຄາໄບແມ່ນແມ່ພິມປະສົມທີ່ມີຊິລິກອນຄາໄບ (SiC) ເປັນພື້ນຖານ ແລະ ແກຣໄຟດເປັນວັດສະດຸເສີມແຮງ. ແມ່ພິມນີ້ມີຄວາມນຳຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ ແລະ...
ອ່ານຕື່ມ
ຂະບວນການເຄິ່ງຕົວນຳ ຂະບວນການເຕັມຮູບແບບຂອງການພິມດ້ວຍແສງ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-16
ການຜະລິດຜະລິດຕະພັນເຄິ່ງຕົວນຳແຕ່ລະຊະນິດຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຂະບວນການຫຼາຍຮ້ອຍຂັ້ນຕອນ. ພວກເຮົາແບ່ງຂະບວນການຜະລິດທັງໝົດອອກເປັນແປດຂັ້ນຕອນຄື: ການປະມວນຜົນແຜ່ນເວເຟີ - ການຜຸພັງ - ການສ້າງຮູບດ້ວຍແສງ - ການແກະສະຫຼັກ - ການວາງຟິມບາງ - ການເຕີບໂຕຂອງແຜ່ນເອປີຕາແກນ - ການແຜ່ກະຈາຍ - ການຝັງໄອອອນ. ເພື່ອຊ່ວຍທ່ານ...
ອ່ານຕື່ມ
4 ຕື້! SK Hynix ປະກາດການລົງທຶນໃນການຫຸ້ມຫໍ່ແບບ semiconductor ຂັ້ນສູງຢູ່ Purdue Research Park
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-09
ເວສລາຟາເຢັດ, ລັດອິນເດຍນາ – ບໍລິສັດ SK hynix Inc. ໄດ້ປະກາດແຜນການທີ່ຈະລົງທຶນເກືອບ 4 ຕື້ໂດລາເພື່ອສ້າງໂຮງງານຜະລິດບັນຈຸພັນທີ່ກ້າວໜ້າ ແລະ ສະຖານທີ່ຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ພັດທະນາສຳລັບຜະລິດຕະພັນປັນຍາປະດິດທີ່ສວນສາທາລະນະ Purdue. ການສ້າງການເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ສຳຄັນໃນລະບົບຕ່ອງໂສ້ການສະໜອງເຄິ່ງຕົວນຳຂອງສະຫະລັດໃນເວສລາຟາເຢັດ...
ອ່ານຕື່ມ
ເຕັກໂນໂລຊີເລເຊີນຳພາການຫັນປ່ຽນຂອງເຕັກໂນໂລຊີການປະມວນຜົນຂອງຊິລິກອນຄາໄບດ໌
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-08
1. ພາບລວມຂອງເຕັກໂນໂລຊີການປະມວນຜົນຊັ້ນຮອງຊິລິກອນຄາໄບ ຂັ້ນຕອນການປະມວນຜົນຊັ້ນຮອງຊິລິກອນຄາໄບໃນປະຈຸບັນປະກອບມີ: ການບົດວົງມົນດ້ານນອກ, ການຊອຍ, ການຂີດມຸມ, ການບົດ, ການຂັດ, ການທຳຄວາມສະອາດ, ແລະອື່ນໆ. ການຊອຍເປັນຂັ້ນຕອນທີ່ສຳຄັນໃນການຜະລິດຊັ້ນຮອງເຄິ່ງຕົວນຳ...
ອ່ານຕື່ມ
ວັດສະດຸພາກສະໜາມຄວາມຮ້ອນຫຼັກ: ວັດສະດຸປະສົມ C/C
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-07-01
ວັດສະດຸປະສົມຄາບອນ-ຄາບອນ ແມ່ນວັດສະດຸປະສົມເສັ້ນໄຍຄາບອນຊະນິດໜຶ່ງ, ໂດຍມີເສັ້ນໄຍຄາບອນເປັນວັດສະດຸເສີມແຮງ ແລະ ຄາບອນທີ່ວາງໄວ້ເປັນວັດສະດຸແມັດທຣິກ. ເມທຣິກຂອງວັດສະດຸປະສົມ C/C ແມ່ນຄາບອນ. ເນື່ອງຈາກມັນເກືອບທັງໝົດປະກອບດ້ວຍຄາບອນທີ່ເປັນທາດ, ມັນຈຶ່ງມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ...
ອ່ານຕື່ມ