-
ဝေဖာဘူးတစ်ဘူးမှာ ဘာကြောင့် ဝေဖာ ၂၅ ခုပါတာလဲ။
ခေတ်မီနည်းပညာရဲ့ ရှုပ်ထွေးတဲ့ကမ္ဘာမှာ ဆီလီကွန်ဝေဖာလို့လည်း လူသိများတဲ့ ဝေဖာတွေဟာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းရဲ့ အဓိကအစိတ်အပိုင်းတွေဖြစ်ပါတယ်။ သူတို့ဟာ မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာ၊ မှတ်ဉာဏ်၊ အာရုံခံကိရိယာစတဲ့ အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးကို ထုတ်လုပ်ဖို့အတွက် အခြေခံဖြစ်ပြီး ဝေဖာတစ်ခုချင်းစီ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အငွေ့အဆင့် epitaxy အတွက် အသုံးများသော ခုံများ
အငွေ့အဆင့် epitaxy (VPE) လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ အောက်ခံခုံ၏ အခန်းကဏ္ဍမှာ အောက်ခံကို ထောက်ပံ့ပေးရန်နှင့် ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း တစ်ပြေးညီအပူပေးမှုကို သေချာစေရန်ဖြစ်သည်။ အောက်ခံခုံအမျိုးအစား အမျိုးမျိုးသည် ကြီးထွားမှုအခြေအနေ အမျိုးမျိုးနှင့် ပစ္စည်းစနစ်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ အောက်ပါတို့သည် အချို့ဖြစ်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တန္တလမ်ကာဗိုက်ဖြင့် ಲೇಪထားသော ထုတ်ကုန်များ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို မည်သို့တိုးချဲ့ရမည်နည်း။
တန္တလမ်ကာဗိုက်ဖြင့် အုပ်ထားသော ထုတ်ကုန်များသည် အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ပွတ်တိုက်မှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း စသည်တို့ဖြင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာရှိသော အသုံးများသော အပူချိန်မြင့်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်းတို့ကို အာကာသ၊ ဓာတုဗေဒနှင့် စွမ်းအင်ကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။ ထုတ်လုပ်မှုအတွက်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း CVD စက်ပစ္စည်းများတွင် PECVD နှင့် LPCVD အကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။
ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) ဆိုသည်မှာ ဓာတ်ငွေ့ရောစပ်မှု၏ ဓာတုဓာတ်ပြုမှုမှတစ်ဆင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အစိုင်အခဲအလွှာတစ်ခုကို စုပုံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ ဓာတ်ပြုမှုအခြေအနေအမျိုးမျိုး (ဖိအား၊ ရှေ့ပြေးနိမိတ်) အရ ၎င်းကို ပစ္စည်းကိရိယာအမျိုးမျိုးအဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဂရပ်ဖိုက်မှို၏ဝိသေသလက္ခဏာများ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဂရပ်ဖိုက်မှို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဂရပ်ဖိုက်မှိုသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ကို အခြေခံအဖြစ်နှင့် ဂရပ်ဖိုက်ကို အားဖြည့်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုထားသော ပေါင်းစပ်မှိုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤမှိုတွင် အပူစီးကူးမှုကောင်းမွန်ခြင်း၊ အပူချိန်မြင့်မားခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ချေးခြင်းဒဏ်ခံနိုင်ခြင်း...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီ၏ လုပ်ငန်းစဉ်အပြည့်အစုံ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်ကုန်တစ်ခုစီ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် လုပ်ငန်းစဉ်ရာပေါင်းများစွာ လိုအပ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးကို အဆင့်ရှစ်ဆင့်ခွဲခြားထားသည်- wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း-အောက်ဆီဒေးရှင်း-ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီ-ထွင်းထုခြင်း-အလွှာပါးလွှာများ စုပုံခြင်း-အပေါ်ပိုင်းကြီးထွားခြင်း-ပျံ့နှံ့ခြင်း-အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်း။ သင့်အားကူညီရန်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
၄ ဘီလီယံ! SK Hynix သည် Purdue Research Park တွင် semiconductor အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို ကြေညာခဲ့သည်
အင်ဒီယားနားပြည်နယ်၊ အနောက်လာဖေးယက် – SK hynix Inc. သည် Purdue Research Park တွင် ဉာဏ်ရည်တုထုတ်ကုန်များအတွက် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးထုတ်လုပ်မှုနှင့် R&D စက်ရုံတစ်ခုတည်ဆောက်ရန် အမေရိကန်ဒေါ်လာ ၄ ဘီလီယံနီးပါး ရင်းနှီးမြှုပ်နှံရန် အစီအစဉ်များကို ကြေညာခဲ့သည်။ အနောက်လာဖေးယက်တွင် အမေရိကန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်တွင် အဓိကချိတ်ဆက်မှုတစ်ခု တည်ဆောက်ခြင်း...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
လေဆာနည်းပညာသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာပြုပြင်ခြင်းနည်းပညာ၏ အသွင်ပြောင်းလဲမှုကို ဦးဆောင်နေသည်
၁။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာပြုပြင်ခြင်းနည်းပညာအကျဉ်းချုပ် လက်ရှိဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာပြုပြင်ခြင်းအဆင့်များတွင် အပြင်ဘက်စက်ဝိုင်းကိုကြိတ်ခြင်း၊ လှီးဖြတ်ခြင်း၊ ချွန်ထက်စေခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ඔප දැමීම၊ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း စသည်တို့ပါဝင်သည်။ လှီးဖြတ်ခြင်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပြုပြင်ခြင်းတွင် အရေးကြီးသောအဆင့်တစ်ခုဖြစ်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အဓိက အပူစက်ကွင်းပစ္စည်းများ- C/C ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ
ကာဗွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများသည် ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး ကာဗွန်ဖိုက်ဘာကို အားဖြည့်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုကာ သတ္တုစပ်ပစ္စည်းအဖြစ် ပေါင်းထည့်ထားသော ကာဗွန်ကို အသုံးပြုသည်။ C/C ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းမှာ ကာဗွန်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ဒြပ်စင်ကာဗွန်ဖြင့် လုံးဝနီးပါး ဖွဲ့စည်းထားသောကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားမှုကို ခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ