Eegeschafte vu rekristalliséiertem Siliziumcarbid
Rekristalliséiert Siliziumcarbid (R-SiC) ass en héichperformant Material mat enger Häert, déi nëmmen no Diamant, deen bei héijer Temperatur iwwer 2000 ℃ geformt gëtt, iwwerschreit. Et behält vill exzellent Eegeschafte vu SiC, wéi z. B. Héichtemperaturfestigkeit, staark Korrosiounsbeständegkeet, exzellent Oxidatiounsbeständegkeet, gutt Widderstandsfäegkeet géint Thermoschocken a sou weider.
● Excellent mechanesch Eegeschaften. Rekristalliséiert Siliziumkarbid huet eng méi héich Festigkeit a Steifheet wéi Kuelefaser, eng héich Schlagfestigkeit, kann eng gutt Leeschtung an extremen Temperaturëmfeld leeschten, kann eng besser Géigegewiichtsleistung an enger Villfalt vu Situatiounen hunn. Zousätzlech huet et och eng gutt Flexibilitéit a gëtt net einfach duerch Strecken a Biegen beschiedegt, wat seng Leeschtung däitlech verbessert.
● Héich Korrosiounsbeständegkeet. Rekristalliséiert Siliziumcarbid huet eng héich Korrosiounsbeständegkeet géint eng Villfalt vu Medien, kann d'Erosioun vun enger Villfalt vu korrosive Medien verhënneren, kann seng mechanesch Eegeschafte laang behalen, huet eng staark Haftung, sou datt et eng méi laang Liewensdauer huet. Zousätzlech huet et och eng gutt thermesch Stabilitéit, kann sech un e bestëmmte Beräich vun Temperaturännerungen upassen, a verbessert säin Uwendungseffekt.
● Sintern schrumpft net. Well de Sinterprozess net schrumpft, verursaacht keng Reschtspannung Verformung oder Rëssbildung vum Produkt, an Deeler mat komplexe Formen an héijer Präzisioun kënnen hiergestallt ginn.
| 重结晶碳化硅物理特性 Physikalesch Eegeschafte vu rekristalliséiertem Siliziumcarbid | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesche Wäert |
| 使用温度/ Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmwelt) |
| SiC含量/ SiC-Gehalt | > 99,96% |
| 自由Si 含量/ Gratis Si Inhalt | < 0,1% |
| 体积密度/Volumendicht | 2,60-2,70 g/cm³3 |
| 气孔率/ Scheinbar Porositéit | < 16% |
| 抗压强度/ Kompressiounsstäerkt | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kalt Biegefestigkeit | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Hëtzt Biegefestigkeit | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Wärmeleitfäegkeet @1200°C | 23 JoerW/m•K |
| 杨氏模量/ Elastizitéitsmodul | 240 GPa |
| 抗热震性/ Widderstand géint Thermeschock | Extrem gutt |
VET Energie ass denrichtege Produzent vu personaliséierte Graphit- a Siliziumcarbidprodukter mat CVD-Beschichtung,kann liwwerenverschiddenPersonnaliséiert Deeler fir d'Hallefleeder- a Photovoltaikindustrie. OEis technesch Equipe kënnt aus den Top-Fuerschungsinstituter aus dem Inland a kann méi professionell Materialléisungen ubiddenfir dech.
Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze liwweren,anhunn eng exklusiv patentéiert Technologie entwéckelt, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofléisen maache kann.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis physikalesch Eegeschafte vu CVD SiCBeschichtung | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesche Wäert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β Phase多晶,主要为(111) 取向 |
| 密度 / Dicht | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Häert | 2500 维氏硬度(500g Belaaschtung) |
| 晶粒大小 / Kärengréisst | 2~10μm |
| 纯度 / Chemesch Rengheet | 99,99995% |
| 热容 / Hëtztkapazitéit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatiounstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegfestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Young säi Modul | 430 Gpa 4pt Bieg, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduktivitéit | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermesch Expansioun (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Mir wëllkomm Iech häerzlech wëllkomm fir eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider diskutéieren!
-
Héichtemperaturstabilitéit Glaskuelestofftéigel
-
Gudde Verschleißbeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet ...
-
TaC beschichtete Grafitråd
-
Hiersteller vun Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen zu ...
-
Grouss Gréisst rekristalliséiert Siliziumcarbid Wafer ...
-
Héichqualitativ Tantalkarbidröhrchen fir SiC-Kristall...








