बातम्या

बीसीडी प्रक्रिया
२४-०९-१८ रोजी प्रशासकाद्वारे
बीसीडी प्रक्रिया म्हणजे काय? बीसीडी प्रक्रिया ही एक सिंगल-चिप इंटिग्रेटेड प्रोसेस टेक्नॉलॉजी आहे जी एसटीने १९८६ मध्ये पहिल्यांदा सादर केली. ही टेक्नॉलॉजी एकाच चिपवर बायपोलर, सीएमओएस आणि डीएमओएस उपकरणे बनवू शकते. त्याचे स्वरूप चिपचे क्षेत्रफळ मोठ्या प्रमाणात कमी करते. असे म्हणता येईल की बीसीडी प्रक्रिया पूर्णपणे वापरते...
अधिक वाचा
बीजेटी, सीएमओएस, डीएमओएस आणि इतर अर्धसंवाहक प्रक्रिया तंत्रज्ञान
२४-०९-१० रोजी प्रशासकाद्वारे
उत्पादन माहिती आणि सल्लामसलत करण्यासाठी आमच्या वेबसाइटवर आपले स्वागत आहे. आमची वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ अर्धवाहक उत्पादन प्रक्रियांमध्ये प्रगती होत असताना, "मूरचा कायदा" नावाचे एक प्रसिद्ध विधान उद्योगात फिरत आहे. ते पी...
अधिक वाचा
सेमीकंडक्टर पॅटर्निंग प्रक्रिया फ्लो-एचिंग
२४-०९-१० रोजी प्रशासकाद्वारे
सुरुवातीच्या ओल्या एचिंगमुळे स्वच्छता किंवा राख प्रक्रिया विकसित होण्यास मदत झाली. आज, प्लाझ्मा वापरून कोरडे एचिंग ही मुख्य प्रवाहातील एचिंग प्रक्रिया बनली आहे. प्लाझ्मामध्ये इलेक्ट्रॉन, कॅशन आणि रॅडिकल्स असतात. प्लाझ्माला लागू होणारी ऊर्जा टी... च्या सर्वात बाहेरील इलेक्ट्रॉनांना कारणीभूत ठरते.
अधिक वाचा
८-इंच SiC एपिटॅक्सियल फर्नेस आणि होमोएपिटाक्सियल प्रक्रियेवर संशोधन-Ⅱ
२४-०९-०४ रोजी प्रशासकाद्वारे
२ प्रायोगिक निकाल आणि चर्चा २.१ एपिटॅक्सियल लेयर जाडी आणि एकरूपता एपिटॅक्सियल लेयर जाडी, डोपिंग एकाग्रता आणि एकरूपता हे एपिटॅक्सियल वेफर्सच्या गुणवत्तेचे मूल्यांकन करण्यासाठी मुख्य निर्देशकांपैकी एक आहेत. अचूकपणे नियंत्रित जाडी, डोपिंग सह...
अधिक वाचा
८-इंच SiC एपिटॅक्सियल फर्नेस आणि होमोएपिटाक्सियल प्रक्रियेवर संशोधन-Ⅰ
२४-०९-०४ रोजी प्रशासकाद्वारे
सध्या, SiC उद्योग १५० मिमी (६ इंच) वरून २०० मिमी (८ इंच) मध्ये बदलत आहे. उद्योगात मोठ्या आकाराच्या, उच्च-गुणवत्तेच्या SiC होमोपिटॅक्सियल वेफर्सची तातडीची मागणी पूर्ण करण्यासाठी, १५० मिमी आणि २०० मिमी ४H-SiC होमोपिटॅक्सियल वेफर्स यशस्वीरित्या तयार केले गेले...
अधिक वाचा
सच्छिद्र कार्बन छिद्र संरचनेचे ऑप्टिमायझेशन -Ⅱ
२४-०८-२७ रोजी प्रशासकाद्वारे
उत्पादन माहिती आणि सल्लामसलत करण्यासाठी आमच्या वेबसाइटवर आपले स्वागत आहे. आमची वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ भौतिक आणि रासायनिक सक्रियकरण पद्धत भौतिक आणि रासायनिक सक्रियकरण पद्धत म्हणजे वरील दोन क्रिया एकत्र करून सच्छिद्र पदार्थ तयार करण्याची पद्धत...
अधिक वाचा
सच्छिद्र कार्बन छिद्र संरचनेचे ऑप्टिमायझेशन-Ⅰ
२४-०८-२७ रोजी प्रशासकाद्वारे
उत्पादन माहिती आणि सल्लामसलत करण्यासाठी आमच्या वेबसाइटवर आपले स्वागत आहे. आमची वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ हा पेपर सध्याच्या सक्रिय कार्बन बाजाराचे विश्लेषण करतो, सक्रिय कार्बनच्या कच्च्या मालाचे सखोल विश्लेषण करतो, छिद्र रचना सादर करतो...
अधिक वाचा
सेमीकंडक्टर प्रक्रिया प्रवाह-Ⅱ
२४-०८-२३ रोजी प्रशासकाद्वारे
उत्पादन माहिती आणि सल्लामसलत करण्यासाठी आमच्या वेबसाइटवर आपले स्वागत आहे. आमची वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ पॉली आणि SiO2 चे एचिंग: यानंतर, अतिरिक्त पॉली आणि SiO2 खोदले जातात, म्हणजेच काढून टाकले जातात. यावेळी, दिशात्मक एचिंग वापरले जाते. वर्गीकरणात...
अधिक वाचा
सेमीकंडक्टर प्रक्रिया प्रवाह
२४-०८-२३ रोजी प्रशासकाद्वारे
तुम्ही कधीही भौतिकशास्त्र किंवा गणिताचा अभ्यास केला नसला तरीही तुम्ही ते समजू शकता, परंतु ते थोडे सोपे आहे आणि नवशिक्यांसाठी योग्य आहे. जर तुम्हाला CMOS बद्दल अधिक जाणून घ्यायचे असेल, तर तुम्हाला या अंकातील मजकूर वाचावा लागेल, कारण प्रक्रिया प्रवाह समजून घेतल्यानंतरच (म्हणजे...
अधिक वाचा