बातम्या

सीएमपीची समतलीकरण यंत्रणा काय आहे?
प्रशासकाद्वारे २४-११-२५ रोजी
ड्युअल-डमासीन हे इंटिग्रेटेड सर्किट्समध्ये मेटल इंटरकनेक्ट्स तयार करण्यासाठी वापरले जाणारे एक प्रक्रिया तंत्रज्ञान आहे. ही डमास्कस प्रक्रियेची पुढील विकसित आवृत्ती आहे. प्रक्रियेच्या एकाच टप्प्यात, एकाच वेळी थ्रू-होल्स आणि ग्रूव्ह्स तयार करून आणि ते धातूने भरून, मेटलचे एकात्मिक उत्पादन केले जाते...
अधिक वाचा
TaC लेपन असलेले ग्राफाइट
प्रशासकाद्वारे २४-११-२१ रोजी
I. प्रक्रिया पॅरामीटर अन्वेषण 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar प्रणाली 2. निक्षेपण तापमान: थर्मोडायनॅमिक सूत्रानुसार, असे गणन केले आहे की जेव्हा तापमान 1273K पेक्षा जास्त असते, तेव्हा अभिक्रियेची गिब्स मुक्त ऊर्जा खूप कमी असते आणि अभिक्रिया तुलनेने पूर्ण होते. ...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड स्फटिक वाढ प्रक्रिया आणि उपकरण तंत्रज्ञान
प्रशासकाद्वारे २४-११-२१ रोजी
१. SiC स्फटिक वाढीचे तंत्रज्ञान मार्ग: PVT (ऊर्ध्वपातन पद्धत), HTCVD (उच्च तापमान CVD), LPE (द्रव प्रावस्था पद्धत) या तीन सामान्य SiC स्फटिक वाढ पद्धती आहेत; उद्योगात PVT पद्धत ही सर्वात मान्यताप्राप्त पद्धत आहे, आणि ९५% पेक्षा जास्त SiC एकल स्फटिक PVT द्वारे वाढवले जातात...
अधिक वाचा
सच्छिद्र सिलिकॉन कार्बन संमिश्र सामग्रीची निर्मिती आणि कार्यक्षमता सुधारणा
प्रशासकाद्वारे २४-११-१३ रोजी
लिथियम-आयन बॅटरी मुख्यत्वे उच्च ऊर्जा घनतेच्या दिशेने विकसित होत आहेत. सामान्य तापमानावर, सिलिकॉन-आधारित निगेटिव्ह इलेक्ट्रोड सामग्री लिथियमसोबत मिश्रधातू बनवून लिथियम-समृद्ध उत्पादन Li3.75Si फेज तयार करते, ज्याची विशिष्ट क्षमता 3572 mAh/g पर्यंत असते, जी सैद्धांतिक क्षमतेपेक्षा खूप जास्त आहे...
अधिक वाचा
एकल क्रिस्टल सिलिकॉनचे औष्णिक ऑक्सिडेशन
प्रशासकाद्वारे २४-११-१३ रोजी
सिलिकॉनच्या पृष्ठभागावर सिलिकॉन डायऑक्साइड तयार होण्याच्या प्रक्रियेला ऑक्सिडेशन म्हणतात, आणि स्थिर व घट्ट चिकटणाऱ्या सिलिकॉन डायऑक्साइडच्या निर्मितीमुळे सिलिकॉन इंटिग्रेटेड सर्किट प्लॅनर तंत्रज्ञानाचा जन्म झाला. सिलिकॉनच्या पृष्ठभागावर थेट सिलिकॉन डायऑक्साइड वाढवण्याचे अनेक मार्ग असले तरी...
अधिक वाचा
फॅन-आउट वेफर-लेव्हल पॅकेजिंगसाठी यूव्ही प्रक्रिया
प्रशासकाद्वारे २४-११-०५ रोजी
सेमीकंडक्टर उद्योगात फॅन आउट वेफर लेव्हल पॅकेजिंग (FOWLP) ही एक किफायतशीर पद्धत आहे. परंतु या प्रक्रियेचे सामान्य दुष्परिणाम म्हणजे वॉर्पिंग आणि चिप ऑफसेट. वेफर लेव्हल आणि पॅनल लेव्हल फॅन आउट तंत्रज्ञानामध्ये सतत सुधारणा होत असूनही, मोल्डिंगशी संबंधित या समस्या अजूनही अस्तित्वात आहेत...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक्स: फोटोव्होल्टेइक क्वार्ट्झ घटकांचा अंत करणारा
प्रशासकाद्वारे २४-११-०५ रोजी
आजच्या जगाच्या सततच्या विकासामुळे, अपारंपरिक ऊर्जा अधिकाधिक कमी होत चालली आहे, आणि मानवी समाजाला “पवन, प्रकाश, जल आणि अणुऊर्जा” यांसारख्या नवीकरणीय ऊर्जेचा वापर करण्याची तीव्र गरज भासत आहे. इतर नवीकरणीय ऊर्जा स्रोतांच्या तुलनेत, मानव...
अधिक वाचा
अभिक्रिया सिंटरिंग आणि दाबविरहित सिंटरिंग सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक तयार करण्याची प्रक्रिया
प्रशासकाद्वारे २४-१०-२९ रोजी
रिॲक्शन सिंटरिंग सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक उत्पादन प्रक्रियेमध्ये सिरॅमिक कॉम्पॅक्टिंग, सिंटरिंग फ्लक्स इन्फिल्ट्रेशन एजंट कॉम्पॅक्टिंग, रिॲक्शन सिंटरिंग सिरॅमिक उत्पादनाची तयारी, सिलिकॉन कार्बाइड वुड सिरॅमिकची तयारी आणि इतर टप्प्यांचा समावेश होतो. रिॲक्शन सिंटरिंग सिलिकॉन...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक्स: सेमीकंडक्टर प्रक्रियांसाठी आवश्यक असलेले अचूक घटक
प्रशासकाद्वारे २४-१०-२९ रोजी
फोटोलिथोग्राफी तंत्रज्ञान मुख्यत्वे सिलिकॉन वेफर्सवर सर्किट पॅटर्न तयार करण्यासाठी ऑप्टिकल प्रणाली वापरण्यावर लक्ष केंद्रित करते. या प्रक्रियेची अचूकता एकात्मिक सर्किट्सच्या कार्यक्षमतेवर आणि उत्पादनावर थेट परिणाम करते. चिप निर्मितीसाठीच्या सर्वोच्च उपकरणांपैकी एक म्हणून, लिथोग्राफी मशीनमध्ये...
अधिक वाचा