Giá ưu đãi cho màng mỏng GaN trên chất nền SiC 4′′

Mô tả ngắn gọn:

Các giá đỡ wafer được sử dụng trong quy trình tăng trưởng epitaxy phải chịu được nhiệt độ cao và quá trình làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt. Các chất hấp thụ nhiệt CoorsTek Clear Carbon™ được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng thiết bị epitaxy đòi hỏi khắt khe này. Cấu trúc than chì phủ silicon carbide (SiC) độ tinh khiết cao của chúng cung cấp khả năng chịu nhiệt vượt trội, độ đồng nhất nhiệt độ cao giúp đảm bảo độ dày và điện trở lớp epitaxy nhất quán, cùng khả năng chống hóa chất bền bỉ. Lớp phủ tinh thể SiC mịn tạo ra bề mặt sạch, nhẵn, rất quan trọng cho việc xử lý vì các wafer nguyên chất tiếp xúc với chất hấp thụ nhiệt tại nhiều điểm trên toàn bộ diện tích của chúng.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Hiện nay, chúng tôi sở hữu đội ngũ nhân viên năng suất cao để xử lý các yêu cầu từ khách hàng. Mục tiêu của chúng tôi là “đạt 100% sự hài lòng của khách hàng thông qua chất lượng sản phẩm và dịch vụ tuyệt vời, giá cả cạnh tranh và dịch vụ tận tâm của đội ngũ nhân viên”, đồng thời tự hào về uy tín lớn mà khách hàng có được. Với nhiều nhà máy, chúng tôi có thể cung cấp nhiều loại màng mỏng GaN-Based epitaxy trên nền SiC 4 inch với giá ưu đãi. Chúng tôi nhiệt liệt chào đón các đối tác kinh doanh từ mọi lĩnh vực, hy vọng thiết lập mối quan hệ hợp tác thân thiện với quý vị và cùng đạt được mục tiêu đôi bên cùng có lợi.
Hiện tại, chúng tôi có đội ngũ nhân viên năng suất cao để xử lý các yêu cầu từ khách hàng. Mục tiêu của chúng tôi là "đạt 100% sự hài lòng của khách hàng thông qua chất lượng sản phẩm/dịch vụ, giá cả và dịch vụ của đội ngũ nhân viên" và tận hưởng uy tín cao trong lòng khách hàng. Với nhiều nhà máy, chúng tôi có thể cung cấp nhiều loại sản phẩm khác nhau.Chất nền GaN và màng GaN của Trung QuốcChúng tôi chân thành mong muốn được hợp tác với khách hàng trên toàn thế giới. Chúng tôi tin rằng chúng tôi có thể làm hài lòng quý khách với các sản phẩm chất lượng cao và dịch vụ hoàn hảo. Chúng tôi cũng nhiệt liệt chào đón khách hàng đến thăm công ty và mua sản phẩm của chúng tôi.

Lớp phủ SiC trên than chì MOCVD Giá đỡ wafer

Tất cả các chất đỡ của chúng tôi đều được làm từ than chì đẳng hướng cường độ cao. Hãy tận dụng độ tinh khiết cao của than chì do chúng tôi sản xuất – được phát triển đặc biệt cho các quy trình đòi hỏi khắt khe như epitaxy, nuôi cấy tinh thể, cấy ion và khắc plasma, cũng như để sản xuất chip LED.

Mô tả sản phẩm
Lớp phủ SiC trên nền than chì dùng trong các ứng dụng bán dẫn tạo ra linh kiện có độ tinh khiết cao và khả năng chống chịu tốt với môi trường oxy hóa.
Lớp phủ SiC CVD hoặc SiC CVI được áp dụng lên than chì của các chi tiết có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng với độ dày khác nhau và cho các chi tiết rất lớn.

 

Thành phần

Lớp phủ SiC trên than chì MOCVD Giá đỡ wafer

Những ưu điểm đặc biệt của thanh gia nhiệt bằng than chì phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ sử dụng tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng kháng hóa chất cao và tính ổn định nhiệt tốt.

Chúng tôi duy trì dung sai rất nhỏ khi phủ lớp SiC, sử dụng gia công chính xác cao để đảm bảo cấu hình chất hấp thụ đồng nhất. Chúng tôi cũng sản xuất các vật liệu có đặc tính điện trở lý tưởng để sử dụng trong các hệ thống gia nhiệt cảm ứng. Tất cả các linh kiện hoàn thiện đều đi kèm với chứng nhận về độ tinh khiết và kích thước đạt tiêu chuẩn.

Ứng dụng:

2

Đặc trưng:
• Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
• Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
• Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
• Độ tinh khiết cực cao
• Có sẵn ở dạng phức tạp
• Có thể sử dụng được trong môi trường oxy hóaCác đặc tính điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Mật độ biểu kiến: 1,85 g/cm3
Điện trở suất: 11 μΩm
Sức mạnh uốn cong: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Độ cứng Shore: 58
Tro: <5ppm
Độ dẫn nhiệt: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Hiện nay, chúng tôi sở hữu đội ngũ nhân viên năng suất cao để xử lý các yêu cầu từ khách hàng. Mục tiêu của chúng tôi là “đạt 100% sự hài lòng của khách hàng thông qua chất lượng sản phẩm và dịch vụ tuyệt vời, giá cả cạnh tranh và dịch vụ tận tâm của đội ngũ nhân viên”, đồng thời tự hào về uy tín lớn mà khách hàng có được. Với nhiều nhà máy, chúng tôi có thể cung cấp nhiều loại màng mỏng GaN-Based epitaxy trên nền SiC 4 inch với giá ưu đãi. Chúng tôi nhiệt liệt chào đón các đối tác kinh doanh từ mọi lĩnh vực, hy vọng thiết lập mối quan hệ hợp tác thân thiện với quý vị và cùng đạt được mục tiêu đôi bên cùng có lợi.
Giá giảmChất nền GaN và màng GaN của Trung QuốcChúng tôi chân thành mong muốn được hợp tác với khách hàng trên toàn thế giới. Chúng tôi tin rằng chúng tôi có thể làm hài lòng quý khách với các sản phẩm chất lượng cao và dịch vụ hoàn hảo. Chúng tôi cũng nhiệt liệt chào đón khách hàng đến thăm công ty và mua sản phẩm của chúng tôi.


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến qua WhatsApp!