Lớp phủ SiC Graphite MOCVD Giá đỡ wafer Chất hấp thụ

Mô tả ngắn gọn:

Tấm đỡ MOCVD phủ SiC của VET Energy dùng cho quá trình tăng trưởng epitaxy là một sản phẩm hiệu suất cao được thiết kế để cung cấp hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trong thời gian dài. Sản phẩm có khả năng chịu nhiệt và độ đồng nhất nhiệt tuyệt vời, độ tinh khiết cao, khả năng chống ăn mòn, trở thành giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng xử lý wafer.