קוואַליטעט דורכקוק פֿאַר טשיינאַ אינדוסטריעל פּאָליקריסטאַלין דיאַמאָנט פּודער 3-6ום פֿאַר סאַפייער וואַפער

קורצע באַשרייַבונג:

אָרט פון אָפּשטאַם:כינע

קריסטאַל סטרוקטור:FCCβ פאַזע

געדיכטקייט:3.21 ג/קמ²;

כאַרטקייט:2500 וויקערס;

גריין גרייס:2~10μm;

כעמישע ריינקייט:99.99995%;

היץ קאַפּאַציטעט:640 דזש·קג-1·ק-1;

סובלימאַציע טעמפּעראַטור:2700 ℃;

פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט:415 מפּאַ (RT 4-פונקט);

יונג'ס מאָדולוס:430 Gpa (4pt בייג, 1300 ℃);

טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE):4.5 10-6K-1;

טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:300 (W/MK);

שיקט אַן אימעיל צו אונדז אראָפּלאָדן ווי PDF

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

"ערלעכקייט, כידעש, שטרענגקייט, און עפעקטיווקייט" איז די שטענדיקע באַגריף פון אונדזער פירמע פֿאַר די לאַנג-טערמין צו אַנטוויקלען צוזאַמען מיט קאַסטאַמערז פֿאַר קעגנצייַטיקע רעציפּראָסיטי און קעגנצייַטיקע נוץ פֿאַר קוואַליטעט דורכקוק פֿאַר טשיינאַ ינדאַסטריאַל פּאָליקריסטאַליןדימענט פּודער3-6ום פֿאַר סאַפייער וואַפער, מיר זענען זיכער אַז מיר קענען פאָרשלאָגן הויך-קוואַליטעט פּראָדוקטן און לייזונגען צו אַ גלייכבארן פּרייַז, העכערע נאָך-פאַרקויף שטיצע פֿאַר די קויפער. און מיר וועלן בויען אַ לעבעדיקע לאַנג-טערמין פּראָדוקציע.
"ערלעכקייט, כידעש, שטרענגקייט און עפעקטיווקייט" איז די שטענדיקע באַגריף פון אונדזער פירמע פֿאַר דער לאַנג-טערמין צו אַנטוויקלען צוזאַמען מיט קאַסטאַמערז פֿאַר קעגנצייַטיקע רעציפּראָסיטי און קעגנצייַטיקע נוץ פֿאַרכינע סינטעטישער דיאַמאָנט, דימענט פּודערמיר שטענדיק אינסיסטירן אויף די פאַרוואַלטונג פּרינציפּ פון "קוואַליטעט איז ערשטער, טעכנאָלאָגיע איז באַזיס, ערלעכקייט און כידעש". מיר זענען ביכולת צו אַנטוויקלען נייַע פּראָדוקטן קאַנטיניואַסלי צו אַ העכער מדרגה צו באַפרידיקן פאַרשידענע באדערפענישן פון קאַסטאַמערז.
פּראָדוקט באַשרייַבונג

אונדזער פירמע גיט SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגען דורך CVD מעטאָד אויף דער ייבערפלאַך פון גראַפיט, קעראַמיק און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעלע גאַזן וואָס אַנטהאַלטן טשאַד און סיליקאָן רעאַגירן ביי הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דיפּאַזאַט אויף דער ייבערפלאַך פון די באדעקט מאַטעריאַלס, פאָרמינג SIC פּראַטעקטיוו שיכט.

הויפּט פֿעיִקייטן:

1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:

די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז אַזוי הויך ווי 1600 C.

2. הויך ריינקייט: געמאכט דורך כעמישע פארע דעפאזיציע אונטער הויך טעמפעראטור כלארינאציע באדינגונגען.

3. עראָזיע קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, קאָמפּאַקט ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.

4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַנישע רעאַגענץ.

הויפּט ספּעסיפיקאַציעס פון CVD-SIC קאָוטינג

SiC-CVD אייגנשאפטן
קריסטאַל סטרוקטור	FCC β פאַזע
געדיכטקייט	ג/קמ³	3.21
כאַרטקייט	וויקערס כאַרדנאַס	2500
גריין גרייס	מיקראָמעטער	2~10
כעמישע ריינקייט	%	99.99995
היץ קאַפּאַציטעט	דזש·קג-1 ·ק-1	640
סובלימאַציע טעמפּעראַטור	℃	2700
פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט	MPa (RT 4-פונקט)	415
יונגס מאָדולוס	Gpa (4 פּינט בייג, 1300℃)	430
טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE)	10-6K-1	4.5
טערמישע קאַנדאַקטיוויטי	(וואט/מיליקעלער קאלעקציע)	300