Kalitate Ikuskapena Txinako Industria Polikristalino Diamante Hauts 3-6um Zafiro Oblearako

Deskribapen laburra:


  • Jatorrizko lekua:Txina
  • Kristal-egitura:FCCβ fasea
  • Dentsitatea:3,21 g/cm3;
  • Gogortasuna:2500 Vicker;
  • Alearen tamaina:2~10μm;
  • Purutasun kimikoa:%99,99995;
  • Bero-ahalmena:640J·kg-1·K-1;
  • Sublimazio tenperatura:2700℃;
  • Indar malgukia:415 Mpa (RT 4 puntukoa);
  • Young-en modulua:430 Gpa (4pt-ko tolestura, 1300℃);
  • Hedapen Termikoa (HTE):4.5 10-6K-1;
  • Eroankortasun termikoa:300 (W/MK);
  • Produktuaren xehetasuna

    Produktuen etiketak

    "Zintzotasuna, Berrikuntza, Zorroztasuna eta Eraginkortasuna" da gure enpresaren epe luzerako kontzepzio iraunkorra, bezeroekin batera garatzeko elkarrekikotasuna eta elkarrekiko onura lortzeko Txinako Polikristalino Industrialerako Kalitate Ikuskapenerako.Diamante hautsa3-6um Zafiro Oblearako, Ziur gaude kalitate handiko produktuak eta irtenbideak prezio arrazoizkoan eskain ditzakegula, erosleei salmenta osteko laguntza bikaina eskainiz. Eta epe luzerako bizitasuna eraikiko dugu.
    "Zintzotasuna, Berrikuntza, Zorroztasuna eta Eraginkortasuna" da gure enpresaren kontzepzio iraunkorra epe luzerako, bezeroekin batera garatzeko elkarrekikotasunerako eta elkarrekiko onurarako.Txinako diamante sintetikoa, Diamante hautsaBeti azpimarratzen dugu "Kalitatea da lehenengoa, Teknologia da oinarria, Zintzotasuna eta Berrikuntza" kudeaketa-printzipioa. Produktu berriak etengabe garatzeko gai gara, bezeroen behar desberdinak asetzeko.
    Produktuaren deskribapena

    Gure enpresak SiC estaldura prozesu zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbonoa eta silizioa dituzten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatzen baitute purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatzen diren molekulak, SIC babes geruza osatuz.

    Ezaugarri nagusiak:

    1. Tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia:

    Oxidazioarekiko erresistentzia oso ona da oraindik ere 1600 °C-ko tenperaturan.

    2. Purutasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun kimikoaren bidez egindakoa.

    3. Higaduraren aurkako erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.

    4. Korrosioarekiko erresistentzia: azidoa, alkalia, gatza eta erreaktibo organikoak.

    CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak

    SiC-CVD propietateak

    Kristal-egitura FCC β fasea
    Dentsitatea g/cm³ 3.21
    Gogortasuna Vickers gogortasuna 2500
    Alearen tamaina μm 2~10
    Purutasun kimikoa % 99.99995
    Bero-ahalmena J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimazio Tenperatura 2700
    Indar malexurala MPa (RT 4 puntukoa) 415
    Young-en modulua Gpa (4pt-ko tolestura, 1300℃) 430
    Hedapen Termikoa (CTE) 10-6K-1 4.5
    Eroankortasun termikoa (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • WhatsApp bidezko txata online!