جۇڭگو سانائەت پولىكرىستاللىق ئالماس پاراشوكىنىڭ سۈپەت تەكشۈرۈشى 3-6um ياقۇت ۋافلى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:


  • كېلىپ چىققان ئورنى:جۇڭگو
  • كىرىستال قۇرۇلمىسى:FCCβ باسقۇچى
  • زىچلىقى:3.21 گرام/كم³؛
  • قاتتىقلىقى:2500 ۋىكېرس؛
  • دان چوڭلۇقى:2~10μm؛
  • خىمىيىلىك ساپلىق:99.99995%؛
  • ئىسسىقلىق سىغىمى:640J·kg-1·K-1؛
  • سۇبلىماتسىيە تېمپېراتۇرىسى:2700℃؛
  • فىلېكۇرال كۈچ:415 Mpa (RT 4 نومۇرلۇق)؛
  • ياڭنىڭ مودۇلى:430 Gpa (4pt ئېگىلىش، 1300℃)؛
  • ئىسسىقلىق كېڭىيىشى (CTE):4.5 10-6K-1؛
  • ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى:300 (W/MK)؛
  • مەھسۇلات تەپسىلاتلىرى

    مەھسۇلات بەلگىلىرى

    «سەمىمىيلىك، يېڭىلىق يارىتىش، قاتتىقلىق ۋە ئۈنۈملۈكلىك» شىركىتىمىزنىڭ ئۇزۇن مۇددەتلىك تەرەققىياتنى كۆزدە تۇتۇپ، خېرىدارلار بىلەن بىرلىكتە ئۆز-ئارا پايدا ئېلىش ۋە جۇڭگو سانائەت پولىكرىستال مەھسۇلاتلىرىنىڭ سۈپەت تەكشۈرۈشى ئۈچۈن داۋاملىق ئىدىيەسى.ئالماس پاراشوكىSapphire Wafer ئۈچۈن 3-6um، بىز يۇقىرى سۈپەتلىك مەھسۇلاتلار ۋە ھەل قىلىش چارىلىرىنى مۇۋاپىق باھادا تەمىنلىيەلەيدىغانلىقىمىزغا، خېرىدارلارغا ئەلا سۈپەتلىك سېتىشتىن كېيىنكى قوللاش بىلەن تەمىنلىيەلەيدىغانلىقىمىزغا ئىشىنىمىز. شۇنداقلا بىز ئۇزۇن مۇددەتلىك جانلىق تەرەققىياتنى قۇرىمىز.
    «سەمىمىيلىك، يېڭىلىق يارىتىش، قاتتىقلىق ۋە ئۈنۈملۈكلىك» شىركىتىمىزنىڭ ئۇزۇن مۇددەتلىك تەرەققىياتنى كۆزدە تۇتۇپ، خېرىدارلار بىلەن بىرلىكتە ئۆز-ئارا پايدا ئېلىش ۋە ئورتاق مەنپەئەت ئۈچۈن تىرىشىشىنىڭ قەتئىي ئىدىيەسى.جۇڭگو سۈنئىي ئالماس, ئالماس پاراشوكىبىز ھەمىشە «سۈپەت بىرىنچى، تېخنىكا ئاساس، راستچىللىق ۋە يېڭىلىق يارىتىش» دېگەن باشقۇرۇش پىرىنسىپىدا چىڭ تۇرىمىز. خېرىدارلارنىڭ ھەر خىل ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن يېڭى مەھسۇلاتلارنى ئۈزلۈكسىز يۇقىرى سەۋىيىگە كۆتۈرۈپ تەرەققىي قىلدۇرالايمىز.
    مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى

    شىركىتىمىز گرافىت، كېرامىكا ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC قاپلاش جەريانى مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇنىڭ بىلەن كاربون ۋە كرېمنىي تەركىبلىك ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا رېئاكسىيە قىلىپ، يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC مولېكۇلاسىنى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ مولېكۇلالار قاپلانغان ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە چۆكۈپ، SIC قوغداش قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ.

    ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلىرى:

    1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش:

    تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغاندا، ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ناھايىتى ياخشى بولىدۇ.

    2. يۇقىرى ساپلىق: يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىلورلاش شارائىتى ئاستىدا خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش ئارقىلىق ياسالغان.

    3. ئېروزىيەگە قارشى تۇرۇش: يۇقىرى قاتتىقلىق، زىچ يۈزە، نېپىز زەررىچىلەر.

    4. چىرىشكە چىداملىق: كىسلاتا، ئىشقار، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاگېنتلار.

    CVD-SIC قاپلىمىسىنىڭ ئاساسلىق ئۆلچەملىرى

    SiC-CVD خۇسۇسىيەتلىرى

    كىرىستال قۇرۇلمىسى FCC β باسقۇچى
    زىچلىق گ/كم³ 3.21
    قاتتىقلىق ۋىكېرس قاتتىقلىقى 2500
    دان چوڭلۇقى μm 2~10
    خىمىيىلىك ساپلىق % 99.99995
    ئىسسىقلىق سىغىمى J·kg-1 ·K-1 640
    سۇبلىماتسىيە تېمپېراتۇرىسى 2700
    فىلېكۇرال كۈچ MPa (RT 4 نومۇرلۇق) 415
    ياڭنىڭ مودۇلى Gpa (4pt ئېگىلىش، 1300℃) 430
    ئىسسىقلىق كېڭىيىشى (CTE) 10-6K-1 4.5
    ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • ئالدىنقىسى:
  • كېيىنكىسى:

  • WhatsApp توردا پاراڭلىشىش!