Inspektimi i Cilësisë për Pluhurin Polikristalin Industrial të Diamantit të Kinës 3-6um për Pllakë Safiri

Përshkrim i shkurtër:


  • Vendi i origjinës:Kinë
  • Struktura kristalore:Faza FCCβ
  • Dendësia:3.21 g/cm;
  • Fortësia:2500 Vickers;
  • Madhësia e kokrrizave:2~10μm;
  • Pastërtia Kimike:99.99995%;
  • Kapaciteti i nxehtësisë:640J·kg-1·K-1;
  • Temperatura e sublimimit:2700℃;
  • Forca Fleksurale:415 Mpa (RT 4-Pika);
  • Moduli i Young-ut:430 Gpa (përkulje 4pt, 1300℃);
  • Zgjerimi Termik (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Përçueshmëria termike:300 (W/MK);
  • Detajet e produktit

    Etiketat e produkteve

    "Sinqeriteti, Inovacioni, Rigoroziteti dhe Efikasiteti" është koncepti i vazhdueshëm i kompanisë sonë për një afat të gjatë për t'u zhvilluar së bashku me klientët për reciprocitet të ndërsjellë dhe përfitim të ndërsjellë për Inspektimin e Cilësisë për Polikristalin Industrial të Kinës.Pluhur diamanti3-6um për Sapphire Wafer, Ne jemi të bindur se mund të ofrojmë produkte dhe zgjidhje me cilësi të lartë me çmim të arsyeshëm, mbështetje superiore pas shitjes për blerësit. Dhe do të ndërtojmë një afat të gjatë të gjallë.
    "Sinqeriteti, Inovacioni, Rigoroziteti dhe Efikasiteti" është koncepti i vazhdueshëm i kompanisë sonë për një afat të gjatë për t'u zhvilluar së bashku me klientët për reciprocitet të ndërsjellë dhe përfitim të ndërsjellë përDiamant Sintetik i Kinës, Pluhur diamantiNe gjithmonë këmbëngulim në parimin e menaxhimit "Cilësia është e para, Teknologjia është Baza, Ndershmëria dhe Inovacioni". Ne jemi në gjendje të zhvillojmë produkte të reja vazhdimisht në një nivel më të lartë për të përmbushur nevojat e ndryshme të klientëve.
    Përshkrimi i Produktit

    Kompania jonë ofron shërbime të procesit të veshjes me SiC me metodën CVD në sipërfaqen e grafitit, qeramikës dhe materialeve të tjera, në mënyrë që gazra të veçantë që përmbajnë karbon dhe silic të reagojnë në temperaturë të lartë për të marrë molekula SiC me pastërti të lartë, molekula të depozituara në sipërfaqen e materialeve të veshura, duke formuar shtresën mbrojtëse të SIC.

    Karakteristikat kryesore:

    1. Rezistencë ndaj oksidimit në temperaturë të lartë:

    Rezistenca ndaj oksidimit është ende shumë e mirë kur temperatura është deri në 1600°C.

    2. Pastërti e lartë: e bërë nga depozitimi kimik i avujve në kushte klorinimi në temperaturë të lartë.

    3. Rezistencë ndaj erozionit: fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imëta.

    4. Rezistenca ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.

    Specifikimet kryesore të veshjes CVD-SIC

    Vetitë SiC-CVD

    Struktura kristalore Faza β e FCC
    Dendësia g/cm³ 3.21
    Fortësia Fortësia e Vickers 2500
    Madhësia e kokrrizave μm 2~10
    Pastërtia Kimike % 99.99995
    Kapaciteti i nxehtësisë J·kg-1 ·K-1 640
    Temperatura e sublimimit 2700
    Forca Flexurale MPa (RT 4-pikëshe) 415
    Moduli i Youngut Gpa (përkulje 4pt, 1300℃) 430
    Zgjerimi Termik (CTE) 10-6K-1 4.5
    Përçueshmëria termike (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Më parë:
  • Tjetra:

  • Bisedë Online në WhatsApp!