“Òtítọ́, Ìṣẹ̀dá tuntun, Ìfaradà, àti Ìṣiṣẹ́” ni èrò tí a ń gbé kalẹ̀ fún ilé-iṣẹ́ wa láti máa gbé pẹ́lú àwọn oníbàárà fún ìbáṣepọ̀ àti àǹfààní fún àyẹ̀wò dídára fún China Industrial PolycrystallinePúlú Dáyámọ́ǹdì3-6um fún Sapphire Wafer, A ní ìgbẹ́kẹ̀lé pé a lè fún àwọn ọjà àti ojútùú tó ga jùlọ ní owó tó dára, àti àtìlẹ́yìn tó ga lẹ́yìn títà ọjà fún àwọn oníbàárà. A ó sì kọ́ ọjọ́ iwájú tó dára.
“Òtítọ́, Ìmúdàgba, Agbára, àti Ìṣiṣẹ́” ni èrò tí a ń gbé kalẹ̀ fún ilé-iṣẹ́ wa láti máa gbé pẹ́lú àwọn oníbàárà wa fún ìbáṣepọ̀ àti àǹfààní fún gbogbo ènìyànDáyámọ́ǹdì Síńtétì ti China, Púlú Dáyámọ́ǹdì, A máa ń tẹnumọ́ ìlànà ìṣàkóso ti “Dídára ni Àkọ́kọ́, Ìmọ̀-ẹ̀rọ ni Ìpìlẹ̀, Òtítọ́ àti Ìṣẹ̀dá tuntun”. A lè máa ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ọjà tuntun nígbà gbogbo sí ìpele gíga láti tẹ́ àwọn àìní àwọn oníbàárà lọ́rùn.
Àpèjúwe Ọjà
Ile-iṣẹ wa n pese awọn iṣẹ ilana ilana ibora SiC nipasẹ ọna CVD lori dada ti graphite, awọn seramiki ati awọn ohun elo miiran, nitorinaa awọn gaasi pataki ti o ni erogba ati silikoni ṣe idahun ni iwọn otutu giga lati gba awọn molikula SiC mimọ giga, awọn molikula ti a fi si oju awọn ohun elo ti a bo, ti o ṣe fẹlẹfẹlẹ aabo SIC.
Awọn ẹya pataki:
1. Agbara ifoyina otutu giga:
Agbara oxidation naa tun dara pupọ nigbati iwọn otutu ba ga to 1600 C.
2. Ìmọ́tótó gíga: tí a fi ìpamọ́ ooru kẹ́míkà ṣe lábẹ́ ipò chlorine tí ó wà ní iwọ̀n otútù gíga.
3. Àìlègbé ìfọ́: líle gíga, ojú tí ó kéré, àwọn pàtákì díẹ̀.
4. Àìlera ìbàjẹ́: ásíìdì, alkali, iyọ̀ àti àwọn ohun èlò ìṣàn ara.
Awọn Pataki Pataki ti Ibora CVD-SIC
| Àwọn Ohun Èlò SiC-CVD | ||
| Ìṣètò Kírísítà | Ìpele FCC β | |
| Ìwọ̀n | g/cm ³ | 3.21 |
| Líle | Líle Vickers | 2500 |
| Ìwọ̀n ọkà | μm | 2~10 |
| Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | % | 99.99995 |
| Agbára Ooru | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Iwọn otutu Sublimation | ℃ | 2700 |
| Agbára Fẹ́lẹ́síù | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Modulu Young | Gpa (ìtẹ̀ 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Agbara itusilẹ ooru | (W/mK) | 300 |
