Саффир вафлины Хятадын үйлдвэрлэлийн поликристалл алмазан нунтаг 3-6ум чанарын хяналт

Товч тайлбар:


  • Гарал үүслийн газар:Хятад
  • Кристал бүтэц:FCCβ үе шат
  • Нягтрал:3.21 г/см³;
  • Хатуулаг:2500 Викерс;
  • Үр тарианы хэмжээ:2~10μm;
  • Химийн цэвэр байдал:99.99995%;
  • Дулааны багтаамж:640Ж·кг-1·К-1;
  • Сублимацийн температур:2700℃;
  • Булчингийн хүч чадал:415 МПа (RT 4 цэг);
  • Янгийн модуль:430 ГПа (4pt нугалах, 1300℃);
  • Дулааны тэлэлт (ДТТ):4.5 10-6K-1;
  • Дулаан дамжуулалт:300(W/MK);
  • Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй мэдээлэл

    Бүтээгдэхүүний шошго

    "Чин сэтгэл, Инноваци, Чадварлаг байдал, Үр ашиг" нь манай компанийн Хятадын үйлдвэрлэлийн поликристал бүтээгдэхүүний чанарын хяналт шалгалтын хувьд харилцан ашигтай, харилцан ашигтай байхын тулд үйлчлүүлэгчидтэйгээ хамтран урт хугацаанд хөгжүүлэх тууштай үзэл баримтлал юм.Алмазан нунтагSapphire Wafer-д 3-6 унц, Бид өндөр чанартай бүтээгдэхүүн, шийдлүүдийг боломжийн үнээр, худалдан авагчдад борлуулалтын дараах дээд зэргийн дэмжлэг үзүүлж чадна гэдэгтээ итгэлтэй байна. Мөн бид урт хугацааны эрч хүчтэй үйл ажиллагааг бий болгоно.
    "Үнэнч сэтгэл, Инноваци, Чадварлаг байдал, Үр ашиг" нь манай компанийн харилцан ашигтай, харилцан ашигтай байхын тулд хэрэглэгчидтэйгээ хамтран урт хугацаанд хөгжих тууштай үзэл баримтлал юм.Хятад синтетик алмаз, Алмазан нунтагБид "Чанар бол нэгдүгээрт, технологи бол үндэс суурь, шударга байдал ба инноваци" гэсэн удирдлагын зарчмыг үргэлж баримталдаг. Бид үйлчлүүлэгчдийнхээ янз бүрийн хэрэгцээг хангахын тулд шинэ бүтээгдэхүүнийг тасралтгүй өндөр түвшинд хөгжүүлэх боломжтой.
    Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт

    Манай компани нь бал чулуу, керамик болон бусад материалын гадаргуу дээр CVD аргаар SiC бүрэх үйл явцын үйлчилгээ үзүүлдэг бөгөөд ингэснээр нүүрстөрөгч болон цахиур агуулсан тусгай хий нь өндөр температурт урвалд орж, өндөр цэвэршилттэй SiC молекулуудыг үүсгэдэг бөгөөд энэ нь бүрсэн материалын гадаргуу дээр хуримтлагдсан молекулууд бөгөөд SIC хамгаалалтын давхарга үүсгэдэг.

    Үндсэн онцлогууд:

    1. Өндөр температурын исэлдэлтэд тэсвэртэй:

    Температур 1600°C хүртэл өндөр байх үед исэлдэлтийн эсэргүүцэл маш сайн хэвээр байна.

    2. Өндөр цэвэршилт: өндөр температурт хлоржуулалтын нөхцөлд химийн ууршуулах замаар үйлдвэрлэсэн.

    3. Элэгдэлд тэсвэртэй: өндөр хатуулаг, нягт гадаргуу, нарийн ширхэгтэй тоосонцор.

    4. Зэврэлтээс хамгаалах чадвар: хүчил, шүлт, давс болон органик урвалжууд.

    CVD-SIC бүрхүүлийн үндсэн үзүүлэлтүүд

    SiC-CVD-ийн шинж чанарууд

    Кристал бүтэц FCC β үе шат
    Нягтрал г/см³ 3.21
    Хатуулаг Викерсийн хатуулаг 2500
    Үр тарианы хэмжээ мкм 2~10
    Химийн цэвэр байдал % 99.99995
    Дулааны багтаамж J·kg-1 ·K-1 640
    Сублимацийн температур 2700
    Булчингийн хүч чадал МПа (RT 4 цэг) 415
    Янгийн модуль Gpa (4pt нугалалт, 1300℃) 430
    Дулааны тэлэлт (ДТТ) 10-6K-1 4.5
    Дулаан дамжуулалт (Вт/мК) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Өмнөх:
  • Дараагийнх нь:

  • WhatsApp онлайн чат!