Qualitätsprüfung für industrielles polykristallines Diamantpulver 3–6 µm aus China für Saphir-Wafer

„Aufrichtigkeit, Innovation, Genauigkeit und Effizienz“ ist die beständige Konzeption unseres Unternehmens für die langfristige Entwicklung gemeinsam mit Kunden für gegenseitige Gegenseitigkeit und gegenseitigen Nutzen für die Qualitätsprüfung für China Industrial PolycrystallineDiamantpulver3–6 µm für Saphir-Wafer. Wir sind überzeugt, dass wir unseren Kunden hochwertige Produkte und Lösungen zu einem angemessenen Preis und mit hervorragendem Kundendienst anbieten können. Und wir werden langfristig erfolgreich sein.
„Aufrichtigkeit, Innovation, Genauigkeit und Effizienz“ ist die beständige Konzeption unseres Unternehmens für die langfristige Entwicklung gemeinsam mit den Kunden für gegenseitige Gegenseitigkeit und gegenseitigen Nutzen fürSynthetischer Diamant aus China, DiamantpulverWir bestehen stets auf dem Managementgrundsatz „Qualität steht an erster Stelle, Technologie ist Basis, Ehrlichkeit und Innovation“. Wir sind in der Lage, kontinuierlich neue Produkte auf einem höheren Niveau zu entwickeln, um die unterschiedlichen Bedürfnisse der Kunden zu erfüllen.
Produktbeschreibung

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hohen Temperaturen reagieren und hochreine SiC-Moleküle entstehen, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und eine SIC-Schutzschicht bilden.

Haupteigenschaften:

1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung