Contrôle qualité de la poudre de diamant polycristallin industriel chinoise 3-6 µm pour plaquette de saphir

Brève description :


  • Lieu d'origine :Chine
  • Structure cristalline :Phase FCCβ
  • Densité :3,21 g/cm;
  • Dureté:2500 Vickers;
  • Taille des grains :2~10 μm;
  • Pureté chimique :99,99995%;
  • Capacité thermique :640 J·kg-1·K-1;
  • Température de sublimation :2700℃;
  • Résistance félexurale :415 Mpa (RT 4 points) ;
  • Module de Young :430 Gpa (pliage 4 points, 1300℃) ;
  • Dilatation thermique (CTE) :4,5 10-6K-1;
  • Conductivité thermique :300 (W/MK) ;
  • Détails du produit

    Étiquettes de produit

    « Sincérité, innovation, rigueur et efficacité » est la conception persistante de notre entreprise pour le développement à long terme avec les clients pour une réciprocité mutuelle et un bénéfice mutuel pour l'inspection de la qualité pour le polycristallin industriel de ChinePoudre de diamant3-6 µm pour plaquette de saphir. Nous sommes convaincus de pouvoir proposer des produits et des solutions de haute qualité à des prix raisonnables, ainsi qu'un service après-vente de qualité supérieure. Nous bâtirons ainsi un avenir prometteur.
    « Sincérité, Innovation, Rigueur et Efficacité » est la conception persistante de notre entreprise à long terme pour se développer avec les clients pour une réciprocité mutuelle et un bénéfice mutuel pourDiamant synthétique de Chine, Poudre de diamantNous insistons toujours sur le principe de gestion « La qualité est la première, la technologie est la base, l'honnêteté et l'innovation ». Nous sommes en mesure de développer continuellement de nouveaux produits à un niveau supérieur pour satisfaire les différents besoins des clients.
    Description du produit

    Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par la méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, des molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.

    Caractéristiques principales :

    1. Résistance à l'oxydation à haute température :

    la résistance à l'oxydation est toujours très bonne lorsque la température atteint 1600 °C.

    2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

    3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

    4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

    Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

    Propriétés du SiC-CVD

    Structure cristalline Phase β du FCC
    Densité g/cm³ 3.21
    Dureté Dureté Vickers 2500
    Taille des grains μm 2 à 10
    Pureté chimique % 99,99995
    Capacité thermique J·kg-1 ·K-1 640
    Température de sublimation °C 2700
    Force félexurale MPa (RT 4 points) 415
    Module de Young Gpa (pliage 4 points, 1300℃) 430
    Dilatation thermique (CTE) 10-6K-1 4,5
    Conductivité thermique (W/mK) 300

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