တရုတ်စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး Polycrystalline Diamond Powder 3-6um အတွက် အရည်အသွေးစစ်ဆေးခြင်း Sapphire Wafer အတွက်

“ရိုးသားမှု၊ ဆန်းသစ်တီထွင်မှု၊ တိကျမှုနှင့် ထိရောက်မှု” သည် တရုတ်စက်မှု Polycrystalline အတွက် အရည်အသွေးစစ်ဆေးခြင်းအတွက် အပြန်အလှန် အပြန်အလှန်အကျိုးပြုမှုနှင့် အပြန်အလှန်အကျိုးရှိမှုအတွက် ဖောက်သည်များနှင့်အတူ ရေရှည်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီ၏ စွဲမြဲသော အယူအဆဖြစ်သည်။စိန်မှုန့်Sapphire Wafer အတွက် 3-6um၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်တင့်သောစျေးနှုန်းဖြင့် အရည်အသွေးမြင့်ထုတ်ကုန်များနှင့် ဖြေရှင်းချက်များကို ပေးဆောင်နိုင်မည်ဟု ကျွန်ုပ်တို့ယုံကြည်ပြီး ဝယ်ယူသူများအတွက် ကောင်းမွန်သော ရောင်းချပြီးနောက်ပံ့ပိုးမှုပေးပါသည်။ ထို့အပြင် ကျွန်ုပ်တို့သည် ရေရှည်တည်တံ့သော ဘဝကို တည်ဆောက်သွားပါမည်။
“ရိုးသားမှု၊ ဆန်းသစ်တီထွင်မှု၊ တိကျပြတ်သားမှုနှင့် ထိရောက်မှု” သည် အပြန်အလှန် အပြန်အလှန်အကျိုးပြုမှုနှင့် အပြန်အလှန် အကျိုးကျေးဇူးများအတွက် ဖောက်သည်များနှင့်အတူ ရေရှည်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီ၏ စွဲမြဲသော အယူအဆဖြစ်သည်။တရုတ် ဓာတုစိန်, စိန်မှုန့်"အရည်အသွေးသည် ပထမ၊ နည်းပညာသည် အခြေခံ၊ ရိုးသားမှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှု" ဟူသော စီမံခန့်ခွဲမှုမူကို ကျွန်ုပ်တို့ အမြဲလိုက်နာပါသည်။ ဖောက်သည်များ၏ မတူညီသော လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် ထုတ်ကုန်အသစ်များကို အဆက်မပြတ် တီထွင်နိုင်ပါသည်။
ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ကျွန်ုပ်တို့ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် CVD နည်းလမ်းဖြင့် SiC အပေါ်ယံလွှာ လုပ်ငန်းစဉ်ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်သောကြောင့် ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါဝင်သော အထူးဓာတ်ငွေ့များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဓာတ်ပြုပြီး မြင့်မားသောသန့်စင်မှု SiC မော်လီကျူးများ၊ အပေါ်ယံလွှာပါ မော်လီကျူးများကို ရရှိစေကာ SIC အကာအကွယ်အလွှာကို ဖွဲ့စည်းပေးပါသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ:

၁။ အပူချိန်မြင့် အောက်ဆီဒေးရှင်းဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း-

အပူချိန် 1600 C အထိ မြင့်မားသော်လည်း အောက်ဆီဒေးရှင်း ခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

၂။ သန့်စင်မှုမြင့်မားခြင်း- မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ကလိုရင်းဓာတ်ပါဝင်မှုအခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။

၃။ တိုက်စားမှုဒဏ်ခံနိုင်မှု- မာကျောမှုမြင့်မားခြင်း၊ ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော မျက်နှာပြင်၊ အမှုန်အမွှားငယ်များ။

၄။ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ် ဓါတ်ကူပစ္စည်းများ။

CVD-SIC အလွှာ၏ အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ