“Ketulusan, Inovasi, Ketelitian, dan Efisiensi” adalah konsepsi perusahaan kami yang terus-menerus untuk jangka panjang untuk berkembang bersama dengan pelanggan untuk timbal balik dan saling menguntungkan untuk Pemeriksaan Kualitas untuk Polikristalin Industri CinaBubuk Berlian3-6um untuk Sapphire Wafer, Kami yakin bahwa kami dapat menawarkan produk dan solusi berkualitas tinggi dengan harga yang wajar, dukungan purnajual yang unggul kepada para pembeli. Dan kami akan membangun masa depan yang cemerlang.
“Ketulusan, Inovasi, Ketelitian, dan Efisiensi” adalah konsepsi perusahaan kami yang terus-menerus untuk jangka panjang untuk berkembang bersama dengan pelanggan untuk timbal balik dan saling menguntungkan bagiBerlian Sintetis Cina, Bubuk BerlianKami selalu berpegang teguh pada prinsip manajemen “Kualitas adalah yang utama, teknologi adalah dasar, kejujuran dan inovasi”. Kami mampu mengembangkan produk baru secara terus menerus ke tingkat yang lebih tinggi untuk memenuhi berbagai kebutuhan pelanggan.
Deskripsi Produk
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul tersebut diendapkan pada permukaan material yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.
Fitur utama:
1. Tahan terhadap oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasi masih sangat baik ketika suhu mencapai 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat melalui deposisi uap kimia di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Tahan erosi: kekerasan tinggi, permukaan padat, partikel halus.
4. Tahan terhadap korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Pelapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kepadatan | gram/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran Butiran | mikrometer | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Felexural | MPa (RT 4 titik) | 415 |
| Modulus Young | IPK (tekuk 4 poin, 1300℃) | 430 |
| Ekspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |

















