Inspectio Qualitatis pro Pulvere Adamantino Polycrystallino Industriali Sinensi 3-6um pro Crusta Sapphirina

Descriptio Brevis:


  • Locus Originis:Sina
  • Structura Crystallina:Phase FCCβ
  • Densitas:3.21 g/cm³;
  • Duritia:2500 Vickers;
  • Magnitudo Grani:2~10μm;
  • Puritas Chemica:99.99995%;
  • Capacitas Calorifera:640J·kg⁻¹·K⁻¹;
  • Temperatura Sublimationis:2700℃;
  • Robur Feflexurale:415 Mpa (RT 4-Puncta);
  • Modulus Youngi:430 Gpa (flexura 4pt, 1300℃);
  • Expansio Thermica (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Conductivitas Thermalis:300 (W/MK);
  • Detalia Producti

    Etiquettae Productarum

    "Sinceritas, Innovatio, Rigor, et Efficacia" est perseverans conceptio societatis nostrae in longum tempus, ut una cum clientibus pro mutua reciprocitate et mutuo commodo pro Inspectione Qualitatis Polycrystallini Industrialis Sinensis evolvatur.Pulvis Adamantinus3-6um pro crustulis sapphirinis, confidimus nos posse offerre producta et solutiones summae qualitatis pretio rationabile, praestantiorem auxilium post-venditionem emptoribus. Et prosperam vitam diuturnam aedificabimus.
    "Sinceritas, Innovatio, Rigor, Efficacia" est perseverans conceptio societatis nostrae in longum tempus, ut una cum clientibus pro mutua reciprocitate et mutuo commodo progrediamur.Adamas Syntheticus Sinensis, Pulvis AdamantinusSemper in principio administrationis "Qualitas Prima, Ars Fundamentum, Honestas et Innovatio" insistimus. Nova producta continenter ad altiorem gradum evolvere possumus ut variis clientium necessitatibus satisfaciamus.
    Descriptio Producti

    Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicae, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales carbonium et silicium continentes alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes.

    Proprietates principales:

    1. Resistentia oxidationis altae temperaturae:

    Resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura usque ad 1600°C alta pervenit.

    2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.

    3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.

    4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.

    Specificationes Principales Tegumentorum CVD-SIC

    Proprietates SiC-CVD

    Structura Crystallina FCC phasis beta
    Densitas g/cm³ 3.21
    Duritia Durities Vickersiana 2500
    Magnitudo Granorum μm 2~10
    Puritas Chemica % 99.99995
    Capacitas Calorifera J·kg-1 ·K-1 DCXL
    Temperatura Sublimationis Celsius 2700
    Robur Feflexurale MPa (RT 4 punctorum) 415
    Modulus Youngi Gpa (flexura 4pt, 1300℃) 430
    Expansio Thermalis (CTE) 10-6K-1 4.5
    Conductivitas thermalis (W/mK) trecenti

    1 Duo Tres quattuor quinque sex VII VIII IX


  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Colloquium WhatsApp Interretiale!