Enspeksyon Kalite pou Lachin Endistriyèl Polikristalin Dyaman Poud 3-6um pou Sapphire Wafer

Deskripsyon kout:


  • Kote orijin:Lachin
  • Estrikti Kristal:Faz FCCβ
  • Dansite:3.21 g/cm3;
  • Dite:2500 Vickers;
  • Gwosè grenn:2 ~ 10μm;
  • Pite chimik:99.99995%;
  • Kapasite Chalè:640J·kg-1·K-1;
  • Tanperati Siblimasyon:2700℃;
  • Fòs fleksural:415 Mpa (RT 4-Pwen);
  • Modil Young lan:430 Gpa (koube 4pt, 1300℃);
  • Ekspansyon tèmik (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Konduktivite tèmik:300 (W/MK);
  • Detay pwodwi

    Etikèt pwodwi yo

    "Senserite, Inovasyon, Rigè, ak Efikasite" se konsèp pèsistan konpayi nou an pou yon long tèm pou devlope ansanm ak kliyan yo pou resipwosite mityèl ak benefis mityèl pou Enspeksyon Kalite pou Polikristalin Endistriyèl Lachin.Poud dyaman3-6um pou Sapphire Wafer, Nou gen konfyans ke nou ka ofri pwodwi ak solisyon kalite siperyè nan pri rezonab, sipò apre-lavant siperyè pou kliyan yo. Epi nou pral bati yon long tèm vibran.
    "Senserite, Inovasyon, Rigidite, ak Efikasite" se konsèp pèsistan konpayi nou an pou yon long tèm pou devlope ansanm ak kliyan yo pou resipwosite mityèl ak benefis mityèl pou.Lachin Dyaman sentetik, Poud dyamanNou toujou ensiste sou prensip jesyon "Kalite se Premye, Teknoloji se Baz, Onètete ak Inovasyon". Nou kapab devlope nouvo pwodwi kontinyèlman nan yon nivo ki pi wo pou satisfè diferan bezwen kliyan yo.
    Deskripsyon pwodwi

    Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas grafit, seramik ak lòt materyèl, pou gaz espesyal ki gen kabòn ak silikon reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil SiC ki gen gwo pite, molekil yo depoze sou sifas materyèl ki kouvri yo, pou fòme yon kouch pwoteksyon SIC.

    Karakteristik prensipal yo:

    1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:

    Rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a rive jiska 1600 C.

    2. Pite segondè: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.

    3. Rezistans ewozyon: gwo dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.

    4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.

    Espesifikasyon prensipal kouch CVD-SIC la

    Pwopriyete SiC-CVD

    Estrikti Kristal Faz FCC β
    Dansite g/cm³ 3.21
    Dite Dite Vickers 2500
    Gwosè grenn μm 2~10
    Pite chimik % 99.99995
    Kapasite Chalè J·kg-1 ·K-1 640
    Tanperati Siblimasyon 2700
    Fòs Fleksiral MPa (RT 4 pwen) 415
    Modil Young lan Gpa (koube 4pt, 1300℃) 430
    Ekspansyon tèmik (CTE) 10-6K-1 4.5
    Konduktivite tèmik (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Anvan:
  • Apre:

  • Chat sou entènèt sou WhatsApp!