Spezzjoni tal-Kwalità għat-Trab tad-Djamanti Polikristallini Industrijali taċ-Ċina 3-6um għal Wafer taż-Żaffir

Deskrizzjoni Qasira:


  • Post tal-Oriġini:iċ-Ċina
  • Struttura tal-Kristall:Fażi FCCβ
  • Densità:3.21 g/ċm2;
  • Ebusija:2500 Vickers;
  • Daqs tal-Qamħ:2~10μm;
  • Purità Kimika:99.99995%;
  • Kapaċità tas-Sħana:640J·kg-1·K-1;
  • Temperatura tas-Sublimazzjoni:2700℃;
  • Saħħa Flessurali:415 Mpa (RT 4-Punti);
  • Modulu ta' Young:430 Gpa (liwja ta' 4pt, 1300℃);
  • Espansjoni Termali (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Konduttività Termali:300(W/MK);
  • Dettalji tal-Prodott

    Tikketti tal-Prodott

    “Sinċerità, Innovazzjoni, Rigor, u Effiċjenza” hija l-kunċett persistenti tal-kumpanija tagħna fit-tul biex tiżviluppa flimkien mal-klijenti għal reċiproċità reċiproka u benefiċċju reċiproku għall-Ispezzjoni tal-Kwalità għall-Polikristallin Industrijali taċ-ĊinaTrab tad-Djamanti3-6um għal Sapphire Wafer, Aħna fiduċjużi li nistgħu noffru prodotti u soluzzjonijiet ta' kwalità għolja bi prezz raġonevoli, appoġġ superjuri ta' wara l-bejgħ għax-xerrejja. U se nibnu medda twila ta' żmien vibranti.
    "Sinċerità, Innovazzjoni, Rigor, u Effiċjenza" hija l-kunċett persistenti tal-kumpanija tagħna fit-tul biex tiżviluppa flimkien mal-klijenti għal reċiproċità reċiproka u benefiċċju reċiproku għalDjamant Sintetiku taċ-Ċina, Trab tad-DjamantiAħna dejjem ninsistu fuq il-prinċipju ta' ġestjoni ta' "Il-Kwalità hija l-Ewwel, it-Teknoloġija hija l-Bażi, l-Onestà u l-Innovazzjoni". Aħna kapaċi niżviluppaw prodotti ġodda kontinwament għal livell ogħla biex nissodisfaw il-bżonnijiet differenti tal-klijenti.
    Deskrizzjoni tal-Prodott

    Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta' proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, iċ-ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom il-karbonju u s-silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli tas-SiC ta' purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, u jiffurmaw saff protettiv tas-SIC.

    Karatteristiċi ewlenin:

    1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja:

    Ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.

    2. Purità għolja: magħmula permezz ta' depożizzjoni kimika tal-fwar taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni f'temperatura għolja.

    3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.

    4. Reżistenza għall-korrużjoni: reaġenti aċidużi, alkali, melħ u organiċi.

    Speċifikazzjonijiet Prinċipali tal-Kisi CVD-SIC

    Proprjetajiet tas-SiC-CVD

    Struttura tal-Kristall Fażi β tal-FCC
    Densità g/ċm³ 3.21
    Ebusija Ebusija Vickers 2500
    Daqs tal-Qamħ μm 2~10
    Purità Kimika % 99.99995
    Kapaċità tas-Sħana J·kg-1 ·K-1 640
    Temperatura tas-Sublimazzjoni 2700
    Saħħa Flexural MPa (RT 4 punti) 415
    Modulu ta' Young Gpa (liwja ta' 4pt, 1300℃) 430
    Espansjoni Termali (CTE) 10-6K-1 4.5
    Konduttività termali (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Preċedenti:
  • Li jmiss:

  • Chat Online fuq WhatsApp!