Sapphire Wafer üçün Çin Sənaye Polikristal Almaz Tozu 3-6um üçün Keyfiyyət Yoxlaması

Qısa Təsvir:


  • Mənşə yeri:Çin
  • Kristal Quruluşu:FCCβ fazası
  • Sıxlıq:3,21 q/sm3;
  • Sərtlik:2500 Vickers;
  • Taxıl Ölçüsü:2~10μm;
  • Kimyəvi Saflıq:99.99995%;
  • İstilik tutumu:640J·kq-1·K-1;
  • Sublimasiya Temperaturu:2700℃;
  • Fleksural Güc:415 Mpa (RT 4-Point);
  • Gəncin Modulu:430 Gpa (4pt əyilmə, 1300℃);
  • Termal Genişlənmə (TGG):4.5 10-6K-1;
  • İstilik keçiriciliyi:300 (W/MK);
  • Məhsul Ətraflı

    Məhsul Etiketləri

    "Səmimiyyət, İnnovasiya, Ciddilik və Səmərəlilik" şirkətimizin Çin Sənaye Polikristallik üçün Keyfiyyət Təftişi üçün qarşılıqlı qarşılıqlılıq və qarşılıqlı fayda naminə müştərilərlə birlikdə uzunmüddətli inkişaf etdirmək üçün davamlı konsepsiyasıdır.Almaz TozuSapphire Wafer üçün 3-6um, yüksək keyfiyyətli məhsullar və həlləri münasib qiymətə, alıcılara üstün satış sonrası dəstək təklif edə biləcəyimizə əminik. Və canlı uzunmüddətli perspektiv quracağıq.
    “Səmimiyyət, İnnovasiya, Ciddilik və Səmərəlilik” şirkətimizin uzunmüddətli perspektivdə qarşılıqlı qarşılıqlı fayda və müştərilərlə birlikdə inkişaf etdirmək üçün davamlı konsepsiyasıdır.Çin Sintetik Almaz, Almaz Tozu, Biz həmişə "Keyfiyyət birincidir, Texnologiya əsasdır, Dürüstlük və İnnovasiyadır" idarəetmə prinsipində israr edirik. Müştərilərin müxtəlif ehtiyaclarını ödəmək üçün yeni məhsullar davamlı olaraq daha yüksək səviyyəyə qaldıra bilirik.
    Məhsul Təsviri

    Şirkətimiz qrafit, keramika və digər materialların səthində CVD metodu ilə SiC örtük prosesi xidmətləri göstərir ki, karbon və silikon tərkibli xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiyaya girərək yüksək təmizlikli SiC molekulları, yəni örtüklü materialların səthində çökən molekullar əldə edilsin və SIC qoruyucu təbəqəsi əmələ gətirsin.

    Əsas xüsusiyyətlər:

    1. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti:

    Oksidləşmə müqaviməti temperatur 1600 C-yə qədər olduqda hələ də çox yaxşıdır.

    2. Yüksək təmizlik: yüksək temperaturlu xlorlama şəraitində kimyəvi buxar çöküntüsü ilə hazırlanır.

    3. Eroziyaya davamlılıq: yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.

    4. Korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.

    CVD-SIC örtüyünün əsas xüsusiyyətləri

    SiC-CVD Xüsusiyyətləri

    Kristal Quruluşu FCC β fazası
    Sıxlıq q/sm³ 3.21
    Sərtlik Vickers sərtliyi 2500
    Taxıl ölçüsü μm 2~10
    Kimyəvi Saflıq % 99.99995
    İstilik tutumu J·kq-1 ·K-1 640
    Sublimasiya Temperaturu 2700
    Fleksural Güc MPa (RT 4 ballıq) 415
    Gəncin Modulu Gpa (4pt əyilmə, 1300℃) 430
    Termal Genişlənmə (TGG) 10-6K-1 4.5
    İstilik keçiriciliyi (Vt/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Əvvəlki:
  • Növbəti:

  • WhatsApp Onlayn Söhbəti!