A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafer di siliciu. Offremu ancu una larga gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi u substratu SiC, u wafer SOI, u substratu SiN, u wafer Epi, ecc., è ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3 è u wafer AlN. Quessi prudutti ponu risponde à i bisogni applicativi di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.
Campi d'applicazione:
•Circuiti integrati:Cum'è u materiale di basa per a fabricazione di circuiti integrati, i wafer di siliciu di tipu P sò largamente aduprati in diversi circuiti logichi, memorie, ecc.
•Dispositivi di putenza:I wafer di siliciu di tipu P ponu esse aduprati per fà dispositivi di putenza cum'è transistor di putenza è diodi.
•Sensori:I wafer di siliciu di tipu P ponu esse aduprati per fà diversi tipi di sensori, cum'è sensori di pressione, sensori di temperatura, ecc.
•Celle solari:I wafer di siliciu di tipu P sò un cumpunente impurtante di e cellule solari.
VET Energy furnisce à i clienti suluzioni di wafer persunalizate, è pò persunalizà i wafer cù diverse resistività, diversi cuntenuti d'ossigenu, diversi spessori è altre specifiche secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati in u prucessu di pruduzzione.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Bordu di a cialda | Bisellatura | ||||
FINITURA DI A SUPERFICIE
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| Finitura di a superficia | Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Chips di bordu | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm) | ||||
| Rientri | Nisunu permessu | ||||
| Graffii (Si-Face) | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | ||
| Crepe | Nisunu permessu | ||||
| Esclusione di u bordu | 3mm | ||||
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