Wafer di silicone di tipu P da 6 pollici

Descrizzione corta:

A cialda di siliciu di tipu P di 6 pollici di VET Energy hè un materiale di basa semiconduttore di alta qualità, largamente utilizatu in a fabricazione di diversi dispositivi elettronichi. VET Energy utilizza un prucessu di crescita CZ avanzatu per assicurà chì a cialda abbia una qualità cristallina eccellente, una bassa densità di difetti è una alta uniformità.


Dettagli di u produttu

Etichette di u produttu

A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafer di siliciu. Offremu ancu una larga gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi u substratu SiC, u wafer SOI, u substratu SiN, u wafer Epi, ecc., è ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3 è u wafer AlN. Quessi prudutti ponu risponde à i bisogni applicativi di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.

Campi d'applicazione:
Circuiti integrati:Cum'è u materiale di basa per a fabricazione di circuiti integrati, i wafer di siliciu di tipu P sò largamente aduprati in diversi circuiti logichi, memorie, ecc.
Dispositivi di putenza:I wafer di siliciu di tipu P ponu esse aduprati per fà dispositivi di putenza cum'è transistor di putenza è diodi.
Sensori:I wafer di siliciu di tipu P ponu esse aduprati per fà diversi tipi di sensori, cum'è sensori di pressione, sensori di temperatura, ecc.
Celle solari:I wafer di siliciu di tipu P sò un cumpunente impurtante di e cellule solari.

VET Energy furnisce à i clienti suluzioni di wafer persunalizate, è pò persunalizà i wafer cù diverse resistività, diversi cuntenuti d'ossigenu, diversi spessori è altre specifiche secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati in u prucessu di pruduzzione.

第6页-36
第6页-35

SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Bordu di a cialda

Bisellatura

FINITURA DI A SUPERFICIE

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips di bordu

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm)

Rientri

Nisunu permessu

Graffii (Si-Face)

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Crepe

Nisunu permessu

Esclusione di u bordu

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Precedente:
  • Dopu:

  • Chat in linea WhatsApp!