La gamme de produits de VET Energy ne se limite pas aux plaquettes de silicium. Nous proposons également une large gamme de substrats semi-conducteurs, notamment des substrats SiC, SOI, SiN, Epi, etc., ainsi que de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite comme l'oxyde de gallium Ga₂O₃ et les plaquettes d'AlN. Ces produits répondent aux besoins applicatifs de différents clients dans les domaines de l'électronique de puissance, des radiofréquences, des capteurs et autres.
Domaines d'application :
•Circuits intégrés :En tant que matériau de base pour la fabrication de circuits intégrés, les plaquettes de silicium de type P sont largement utilisées dans divers circuits logiques, mémoires, etc.
•Appareils d'alimentation :Les plaquettes de silicium de type P peuvent être utilisées pour fabriquer des dispositifs de puissance tels que des transistors de puissance et des diodes.
•Capteurs :Les plaquettes de silicium de type P peuvent être utilisées pour fabriquer différents types de capteurs, tels que des capteurs de pression, des capteurs de température, etc.
•Cellules solaires :Les plaquettes de silicium de type P sont un composant important des cellules solaires.
VET Energy propose à ses clients des solutions de plaquettes personnalisées, avec différentes résistivités, teneurs en oxygène, épaisseurs et autres spécifications, selon leurs besoins spécifiques. Nous offrons également un support technique professionnel et un service après-vente pour les aider à résoudre les différents problèmes rencontrés lors de la production.
SPÉCIFICATIONS DE DÉCAPAGE
*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤ 6 µm | ≤ 6 µm | |||
| Arc (GF3YFCD) - Valeur absolue | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤ 25 μm | ≤15 μm | |
| Déformation (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
| LTV (SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||||
FINITION DE SURFACE
*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finition de surface | Polissage optique double face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosité de surface | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5 µm x 5 µm) Face Si Ra ≤ 0,2 nm | |||
| Chips de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur ≥ 0,5 mm) | ||||
| Retraits | Aucun permis | ||||
| Rayures (Si-Face) | Qté ≤ 5, Cumulatif | Qté ≤ 5, Cumulatif | Qté ≤ 5, Cumulatif | ||
| Fissures | Aucun permis | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | ||||
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