6 hazbeteko P motako silikonozko oblea

Deskribapen laburra:

VET Energy 6 hazbeteko P motako siliziozko oblea kalitate handiko erdieroaleen oinarrizko materiala da, hainbat gailu elektroniko fabrikatzeko oso erabilia. VET Energy-k CZ hazkuntza prozesu aurreratua erabiltzen du obleak kristal kalitate bikaina, akats dentsitate txikia eta uniformetasun handia izan dezan.

Bidali mezu elektroniko bat guregana Deskargatu PDF gisa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

VET Energy-ren produktu-lerroa ez dago siliziozko obleak soilik mugatuta. Gainera, erdieroaleen substratu-material sorta zabala eskaintzen dugu, besteak beste, SiC substratua, SOI oblea, SiN substratua, Epi oblea, etab., baita banda-tarte zabaleko erdieroale-material berriak ere, hala nola Galio Oxidoa Ga2O3 eta AlN oblea. Produktu hauek potentzia-elektronikan, irrati-maiztasunean, sentsoreetan eta beste arlo batzuetan bezero desberdinen aplikazio-beharrak ase ditzakete.

Aplikazio eremuak:
•Zirkuitu integratuak:Zirkuitu integratuen fabrikaziorako oinarrizko material gisa, P motako siliziozko obleak oso erabiliak dira hainbat zirkuitu logikotan, memorietan, etab.
•Energia gailuak:P motako siliziozko obleak erabil daitezke potentzia-gailuak egiteko, hala nola potentzia-transistoreak eta diodoak.
•Sentsoreak:P motako siliziozko obleak hainbat sentsore mota egiteko erabil daitezke, hala nola presio sentsoreak, tenperatura sentsoreak, etab.
•Eguzki-zelulak:P motako siliziozko obleak eguzki-zelulen osagai garrantzitsuak dira.

VET Energy-k oblea-irtenbide pertsonalizatuak eskaintzen dizkie bezeroei, eta erresistentzia, oxigeno-eduki, lodiera eta bestelako zehaztapen desberdinekin obleak pertsonaliza ditzake bezeroen behar espezifikoen arabera. Horrez gain, laguntza tekniko profesionala eta salmenta osteko zerbitzua ere eskaintzen ditugu bezeroei ekoizpen-prozesuan aurkitzen dituzten arazo desberdinak konpontzen laguntzeko.

OBLEEN ESPEZIFIKAZIOAK

*n-Pm=n-motako Pm-Grade,n-Ps=n-motako Ps-Grade,Sl=Erdi-isolatzailea

Elementua	8 hazbeteko	6 hazbeteko			4 hazbeteko
Elementua	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Arkua (GF3YFCD) - Balio Absolutua	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformazioa (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Oblearen ertza	Bizeltzea

AZALERAREN AKABERA

*n-Pm=n-motako Pm-Grade,n-Ps=n-motako Ps-Grade,Sl=Erdi-isolatzailea

Elementua	8 hazbeteko	6 hazbeteko			4 hazbeteko
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Gainazaleko akabera	Bi aldeetako leungarri optikoa, Si-Face CMP
Gainazaleko zimurtasuna	(10um x 10um) Si-AurpegiaRa≤0.2nm C-Aurpegia Ra ≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Aurpegia Ra≤0.2nm C-Aurpegia Ra≤0.5nm
Ertz-txipak	Bat ere ez da onartzen (luzera eta zabalera ≥0.5mm)
Koskak	Ez dago baimenduta
Marradurak (Si-Face)	Kantitatea ≤5, metatua Luzera ≤0.5 × oblata diametroa	Kantitatea ≤5, metatua Luzera ≤0.5 × oblata diametroa			Kantitatea ≤5, metatua Luzera ≤0.5 × oblata diametroa
Pitzadurak	Ez dago baimenduta
Ertz-bazterketa	3 mm