Wafer di silicio tipo P da 6 pollici

Breve descrizione:

Il wafer di silicio di tipo P da 6 pollici di VET Energy è un materiale di base semiconduttore di alta qualità, ampiamente utilizzato nella produzione di vari dispositivi elettronici. VET Energy utilizza un processo avanzato di crescita della CZ per garantire che il wafer abbia un'eccellente qualità cristallina, una bassa densità di difetti e un'elevata uniformità.


Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Offriamo anche un'ampia gamma di substrati semiconduttori, tra cui substrati in SiC, wafer SOI, substrati in SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga₂O₂ e il wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, delle radiofrequenze, della sensoristica e di altri settori.

Campi di applicazione:
Circuiti integrati:I wafer di silicio di tipo P sono ampiamente utilizzati come materiale di base per la produzione di circuiti integrati in vari circuiti logici, memorie, ecc.
Dispositivi di potenza:I wafer di silicio di tipo P possono essere utilizzati per realizzare dispositivi di potenza come transistor e diodi di potenza.
Sensori:I wafer di silicio di tipo P possono essere utilizzati per realizzare vari tipi di sensori, come sensori di pressione, sensori di temperatura, ecc.
Celle solari:I wafer di silicio di tipo P sono una componente importante delle celle solari.

VET Energy offre ai clienti soluzioni di wafer personalizzate, personalizzabili con resistività, contenuto di ossigeno, spessore e altre specifiche in base alle esigenze specifiche del cliente. Inoltre, offriamo supporto tecnico professionale e assistenza post-vendita per aiutare i clienti a risolvere le diverse problematiche riscontrate durante il processo produttivo.

第6页-36
第6页-35

SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

crepe

Nessuno consentito

Esclusione del bordo

3 millimetri

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Precedente:
  • Prossimo:

  • Chat online su WhatsApp!