La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Offriamo anche un'ampia gamma di substrati semiconduttori, tra cui substrati in SiC, wafer SOI, substrati in SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga₂O₂ e il wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, delle radiofrequenze, della sensoristica e di altri settori.
Campi di applicazione:
•Circuiti integrati:I wafer di silicio di tipo P sono ampiamente utilizzati come materiale di base per la produzione di circuiti integrati in vari circuiti logici, memorie, ecc.
•Dispositivi di potenza:I wafer di silicio di tipo P possono essere utilizzati per realizzare dispositivi di potenza come transistor e diodi di potenza.
•Sensori:I wafer di silicio di tipo P possono essere utilizzati per realizzare vari tipi di sensori, come sensori di pressione, sensori di temperatura, ecc.
•Celle solari:I wafer di silicio di tipo P sono una componente importante delle celle solari.
VET Energy offre ai clienti soluzioni di wafer personalizzate, personalizzabili con resistività, contenuto di ossigeno, spessore e altre specifiche in base alle esigenze specifiche del cliente. Inoltre, offriamo supporto tecnico professionale e assistenza post-vendita per aiutare i clienti a risolvere le diverse problematiche riscontrate durante il processo produttivo.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bordo del wafer | smussatura | ||||
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura superficiale | Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità superficiale | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm) | ||||
| Rientri | Nessuno consentito | ||||
| Graffi (Si-Face) | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | ||
| crepe | Nessuno consentito | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | ||||
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