6 Zoll P-Typ Siliziumwafer

Kuerz Beschreiwung:

De VET Energy 6-Zoll P-Typ Siliziumwafer ass e qualitativ héichwäertegt Hallefleederbasismaterial, dat wäit verbreet bei der Fabrikatioun vu verschiddenen elektroneschen Apparater benotzt gëtt. VET Energy benotzt en fortgeschrattene CZ-Wuesstumsprozess fir sécherzestellen, datt de Wafer eng exzellent Kristallqualitéit, eng niddreg Defektdicht an eng héich Uniformitéit huet.

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

D'Produktlinn vu VET Energy beschränkt sech net op Siliziumwaferen. Mir bidden och eng breet Palette vu Hallefleeder-Substratmaterialien, dorënner SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer, etc., souwéi nei Hallefleedermaterialien mat enger breeder Bandlück wéi Galliumoxid Ga2O3 an AlN-Wafer. Dës Produkter kënnen den Uwendungsbedürfnisser vu verschiddene Clienten an der Leeschtungselektronik, der Radiofrequenz, de Sensoren an anere Beräicher erfëllen.

Applikatiounsfelder:
•Integréiert Schaltungen:Als Basismaterial fir d'Fabrikatioun vun integréierte Schaltkreesser gi P-Typ Siliziumwafere wäit verbreet a verschiddene Logikschaltkreesser, Späicherkreesser, asw. benotzt.
•Stroumgeräter:P-Typ Siliziumwafere kënne benotzt ginn fir Energieversuergungsapparater wéi Energietransistoren an Dioden ze maachen.
•Sensoren:P-Typ Siliziumwafere kënne benotzt gi fir verschidden Zorte vu Sensoren ze maachen, wéi Drocksensoren, Temperatursensoren, asw.
•Solarzellen:P-Typ Siliziumwafere sinn e wichtege Bestanddeel vu Solarzellen.

VET Energy bitt senge Clienten personaliséiert Waferléisungen a kann Wafere mat ënnerschiddlechem Widderstand, ënnerschiddlechem Sauerstoffgehalt, ënnerschiddlecher Déckt an aner Spezifikatioune personaliséieren, jee no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten. Zousätzlech bidden mir och professionellen techneschen Support an After-Sales-Service, fir de Clienten ze hëllefen, verschidde Problemer ze léisen, déi am Produktiounsprozess optrieden.

WAFEREN-SPECIFIKATIOUNEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Grad, n-Ps=n-Typ Ps-Grad, Sl=Hallefisoléierend

Artikel	8-Zoll	6-Zoll			4-Zoll
Artikel	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6µm	≤6µm
Béi(GF3YFCD) - Absolutwäert	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Verdreiwung (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR) - 10mmx10mm	<2μm
Waferrand	Ofschrägung

Uewerflächenofschloss

*n-Pm=n-Typ Pm-Grad, n-Ps=n-Typ Ps-Grad, Sl=Hallefisoléierend

Artikel	8-Zoll	6-Zoll			4-Zoll
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Uewerflächenfinish	Duebelsäiteg Optesch Politur, Si-Face CMP
Uewerflächenrauheet	(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5 nm			(5µmx5µm) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Kantchips	Keen erlaabt (Längt a Breet ≥0,5 mm)
Aréckungen	Keen erlaabt
Kratzer (Si-Face)	Quantitéit ≤5, Kumulativ Längt≤0,5 × Waferduerchmiesser	Quantitéit ≤5, Kumulativ Längt≤0,5 × Waferduerchmiesser			Quantitéit ≤5, Kumulativ Längt≤0,5 × Waferduerchmiesser
Rëss	Keen erlaabt
Randausgrenzung	3mm