Die Produktpalette von VET Energy beschränkt sich nicht nur auf Siliziumwafer. Wir bieten auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrate, SOI-Wafer, SiN-Substrate, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer. Diese Produkte erfüllen die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, Hochfrequenz, Sensorik und anderen Bereichen.
Anwendungsgebiete:
•Integrierte Schaltkreise:Als Grundmaterial für die Herstellung integrierter Schaltkreise werden P-Typ-Siliziumwafer häufig in verschiedenen Logikschaltkreisen, Speichern usw. verwendet.
•Stromversorgungsgeräte:P-Typ-Siliziumwafer können zur Herstellung von Leistungsbauelementen wie Leistungstransistoren und Dioden verwendet werden.
•Sensoren:Aus P-Typ-Siliziumwafern können verschiedene Arten von Sensoren hergestellt werden, beispielsweise Drucksensoren, Temperatursensoren usw.
•Solarzellen:P-Typ-Siliziumwafer sind ein wichtiger Bestandteil von Solarzellen.
VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen und kann Wafer mit unterschiedlichem Widerstand, Sauerstoffgehalt, Dicke und weiteren Spezifikationen entsprechend den spezifischen Kundenanforderungen anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme im Produktionsprozess zu unterstützen.
WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Waferkante | Abschrägung | ||||
OBERFLÄCHENBEARBEITUNG
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Oberflächenbeschaffenheit | Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP | ||||
| Oberflächenrauheit | (10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm | (5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm | |||
| Kantensplitter | Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm) | ||||
| Einrückungen | Keine erlaubt | ||||
| Kratzer (Si-Face) | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | ||
| Risse | Keine erlaubt | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | ||||
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