6-Zoll-Siliziumwafer vom Typ P

Kurze Beschreibung:

Der 6-Zoll-P-Typ-Siliziumwafer von VET Energy ist ein hochwertiges Halbleiterbasismaterial, das häufig bei der Herstellung verschiedener elektronischer Geräte verwendet wird. VET Energy verwendet ein fortschrittliches CZ-Wachstumsverfahren, um sicherzustellen, dass der Wafer eine hervorragende Kristallqualität, geringe Defektdichte und hohe Gleichmäßigkeit aufweist.


Produktdetail

Produkt Tags

Die Produktpalette von VET Energy beschränkt sich nicht nur auf Siliziumwafer. Wir bieten auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrate, SOI-Wafer, SiN-Substrate, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer. Diese Produkte erfüllen die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, Hochfrequenz, Sensorik und anderen Bereichen.

Anwendungsgebiete:
Integrierte Schaltkreise:Als Grundmaterial für die Herstellung integrierter Schaltkreise werden P-Typ-Siliziumwafer häufig in verschiedenen Logikschaltkreisen, Speichern usw. verwendet.
Stromversorgungsgeräte:P-Typ-Siliziumwafer können zur Herstellung von Leistungsbauelementen wie Leistungstransistoren und Dioden verwendet werden.
Sensoren:Aus P-Typ-Siliziumwafern können verschiedene Arten von Sensoren hergestellt werden, beispielsweise Drucksensoren, Temperatursensoren usw.
Solarzellen:P-Typ-Siliziumwafer sind ein wichtiger Bestandteil von Solarzellen.

VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen und kann Wafer mit unterschiedlichem Widerstand, Sauerstoffgehalt, Dicke und weiteren Spezifikationen entsprechend den spezifischen Kundenanforderungen anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme im Produktionsprozess zu unterstützen.

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WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN

*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 µm

≤6 µm

Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENBEARBEITUNG

*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm
C-Fläche Ra ≤ 0,5 nm

(5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm
C-Fläche Ra≤0,5nm

Kantensplitter

Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Keine erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Keine erlaubt

Kantenausschluss

3 mm

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