6 inch P-type siliciumwafer

Korte beschrijving:

De 6-inch P-type siliciumwafer van VET Energy is een hoogwaardig basismateriaal voor halfgeleiders en wordt veel gebruikt bij de productie van diverse elektronische apparaten. VET Energy gebruikt een geavanceerd CZ-groeiproces om te garanderen dat de wafer een uitstekende kristalkwaliteit, lage defectdichtheid en hoge uniformiteit heeft.

Stuur ons een e-mail Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

De productlijn van VET Energy beperkt zich niet tot siliciumwafers. We leveren ook een breed scala aan halfgeleidersubstraten, waaronder SiC-substraat, SOI-wafer, SiN-substraat, Epi-wafer, enz., evenals nieuwe halfgeleidermaterialen met een brede bandgap, zoals galliumoxide, Ga2O3 en AlN-wafer. Deze producten kunnen voldoen aan de toepassingsbehoeften van verschillende klanten in de vermogenselektronica, radiofrequentie, sensoren en andere sectoren.

Toepassingsgebieden:
•Geïntegreerde schakelingen:P-type siliciumwafers worden als basismateriaal voor de productie van geïntegreerde schakelingen veel gebruikt in verschillende logische schakelingen, geheugens, enzovoort.
•Elektrische apparaten:P-type siliciumwafers kunnen worden gebruikt om vermogenscomponenten zoals vermogenstransistoren en diodes te maken.
•Sensoren:P-type siliciumwafers kunnen worden gebruikt om verschillende soorten sensoren te maken, zoals druksensoren, temperatuursensoren, enz.
•Zonnecellen:P-type siliciumwafers zijn een belangrijk onderdeel van zonnecellen.

VET Energy biedt klanten waferoplossingen op maat en kan wafers aanpassen met verschillende weerstanden, zuurstofgehaltes, diktes en andere specificaties, afgestemd op de specifieke behoeften van de klant. Daarnaast bieden we professionele technische ondersteuning en aftersalesservice om klanten te helpen bij het oplossen van diverse problemen die ze tijdens het productieproces tegenkomen.

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item	8 inch	6 inch			4-inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow (GF3YFCD) - Absolute waarde	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Waferrand	Afschuinen

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item	8 inch	6 inch			4-inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oppervlakteafwerking	Dubbelzijdige optische polijst, Si-Face CMP
Oppervlakteruwheid	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-vlak Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-oppervlak Ra≤0,2 nm C-vlak Ra≤0,5 nm
Randchips	Niet toegestaan (lengte en breedte ≥ 0,5 mm)
Inspringingen	Niet toegestaan
Krassen (Si-Face)	Aantal ≤ 5, cumulatief Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter	Aantal ≤ 5, cumulatief Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter			Aantal ≤ 5, cumulatief Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter
Scheuren	Niet toegestaan
Randuitsluiting	3 mm